उद्योग समाचार
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एक युग का अंत? वुल्फस्पीड दिवालियापन ने SiC परिदृश्य को नया आकार दिया
वुल्फस्पीड का दिवालियापन SiC सेमीकंडक्टर उद्योग के लिए एक महत्वपूर्ण मोड़ का संकेत है वुल्फस्पीड, जो सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) प्रौद्योगिकी में एक लंबे समय से अग्रणी है, ने इस सप्ताह दिवालियापन के लिए आवेदन किया, जो वैश्विक SiC सेमीकंडक्टर परिदृश्य में एक महत्वपूर्ण बदलाव को दर्शाता है। कंपनी का पतन SiC सेमीकंडक्टर उद्योग में गहरी गिरावट को दर्शाता है।और पढ़ें -
पतली फिल्म जमाव तकनीकों का एक व्यापक अवलोकन: MOCVD, मैग्नेट्रॉन स्पटरिंग, और PECVD
सेमीकंडक्टर निर्माण में, जबकि फोटोलिथोग्राफी और नक्काशी सबसे अधिक बार उल्लिखित प्रक्रियाएं हैं, एपिटैक्सियल या पतली फिल्म जमा करने की तकनीकें भी उतनी ही महत्वपूर्ण हैं। यह लेख चिप निर्माण में उपयोग की जाने वाली कई सामान्य पतली फिल्म जमा करने की विधियों का परिचय देता है, जिसमें MOCVD, मैग्नेट्र...और पढ़ें -
सफायर थर्मोकपल प्रोटेक्शन ट्यूब: कठोर औद्योगिक वातावरण में उन्नत परिशुद्धता तापमान संवेदन
1. तापमान मापन - औद्योगिक नियंत्रण की रीढ़ आधुनिक उद्योगों के साथ तेजी से जटिल और चरम स्थितियों में काम करना, सटीक और विश्वसनीय तापमान निगरानी आवश्यक हो गई है। विभिन्न संवेदन प्रौद्योगिकियों में, थर्मोकपल को व्यापक रूप से अपनाया जाता है ...और पढ़ें -
सिलिकॉन कार्बाइड एआर ग्लास को रोशन करता है, जिससे असीम नए दृश्य अनुभव खुलते हैं
मानव प्रौद्योगिकी के इतिहास को अक्सर "सुधार" की अथक खोज के रूप में देखा जा सकता है - बाहरी उपकरण जो प्राकृतिक क्षमताओं को बढ़ाते हैं। उदाहरण के लिए, आग ने पाचन तंत्र के लिए "अतिरिक्त" के रूप में कार्य किया, जिससे मस्तिष्क के विकास के लिए अधिक ऊर्जा मुक्त हुई। 19वीं शताब्दी के अंत में जन्मा रेडियो,...और पढ़ें -
भविष्य में 8 इंच के सिलिकॉन कार्बाइड को काटने के लिए लेज़र स्लाइसिंग मुख्य तकनीक बन जाएगी। प्रश्नोत्तर संग्रह
प्रश्न: SiC वेफर स्लाइसिंग और प्रसंस्करण में उपयोग की जाने वाली मुख्य तकनीकें क्या हैं? उत्तर: सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) की कठोरता हीरे के बाद दूसरे स्थान पर है और इसे अत्यधिक कठोर और भंगुर पदार्थ माना जाता है। स्लाइसिंग प्रक्रिया, जिसमें विकसित क्रिस्टल को पतले वेफर्स में काटना शामिल है,...और पढ़ें -
SiC वेफर प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी की वर्तमान स्थिति और रुझान
तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक सब्सट्रेट सामग्री के रूप में, सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सिंगल क्रिस्टल में उच्च आवृत्ति और उच्च शक्ति वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण में व्यापक अनुप्रयोग संभावनाएं हैं। SiC की प्रसंस्करण तकनीक उच्च गुणवत्ता वाले सब्सट्रेट के उत्पादन में निर्णायक भूमिका निभाती है...और पढ़ें -
तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक का उभरता सितारा: गैलियम नाइट्राइड भविष्य में कई नए विकास बिंदु
सिलिकॉन कार्बाइड उपकरणों की तुलना में, गैलियम नाइट्राइड पावर उपकरणों को उन परिदृश्यों में अधिक लाभ होगा जहां दक्षता, आवृत्ति, मात्रा और अन्य व्यापक पहलुओं की एक ही समय में आवश्यकता होती है, जैसे कि गैलियम नाइट्राइड आधारित उपकरणों को सफलतापूर्वक लागू किया गया है ...और पढ़ें -
घरेलू GaN उद्योग के विकास में तेजी आई है
गैलियम नाइट्राइड (GaN) पावर डिवाइस अपनाने में नाटकीय रूप से वृद्धि हो रही है, जिसका नेतृत्व चीनी उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स विक्रेताओं द्वारा किया जा रहा है, और पावर GaN उपकरणों का बाजार 2021 में 126 मिलियन डॉलर से बढ़कर 2027 तक 2 बिलियन डॉलर तक पहुंचने की उम्मीद है। वर्तमान में, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स क्षेत्र गैलियम नाइट्राइड का मुख्य चालक है...और पढ़ें