2 इंच 50.8 मिमी सिलिकॉन कार्बाइड SiC वेफर्स डोप्ड Si N-प्रकार उत्पादन अनुसंधान और डमी ग्रेड

सब्सट्रेट सामग्री: 4H सिलिकॉन कार्बाइड (4H-SiC)

क्रिस्टल संरचना: टेट्राहेक्साहेड्रल (4H)

डोपिंग: बिना डोपिंग (4H-N)

आकार: 2 इंच

चालकता प्रकार: एन-प्रकार (एन-डोप्ड)

चालकता: अर्धचालक

बाज़ार परिदृश्य: 4H-N नॉन-डोप्ड SiC वेफ़र्स के कई फ़ायदे हैं, जैसे उच्च तापीय चालकता, कम चालन हानि, उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोध और उच्च यांत्रिक स्थिरता, और इस प्रकार पावर इलेक्ट्रॉनिक्स और RF अनुप्रयोगों में इनका व्यापक बाज़ार परिदृश्य है। नवीकरणीय ऊर्जा, इलेक्ट्रिक वाहनों और संचार के विकास के साथ, उच्च दक्षता, उच्च तापमान संचालन और उच्च शक्ति सहनशीलता वाले उपकरणों की माँग बढ़ रही है, जो 4H-N नॉन-डोप्ड SiC वेफ़र्स के लिए एक व्यापक बाज़ार अवसर प्रदान करता है।

उपयोग: 2-इंच 4H-N नॉन-डोप्ड SiC वेफर्स का उपयोग विभिन्न प्रकार के पावर इलेक्ट्रॉनिक्स और RF उपकरणों के निर्माण के लिए किया जा सकता है, जिनमें निम्नलिखित शामिल हैं, लेकिन इन्हीं तक सीमित नहीं हैं:

1--4H-SiC MOSFETs: उच्च शक्ति/उच्च तापमान अनुप्रयोगों के लिए धातु ऑक्साइड अर्धचालक क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर। इन उपकरणों में कम चालन और स्विचिंग हानियाँ होती हैं, जिससे उच्च दक्षता और विश्वसनीयता मिलती है।

2-4H-SiC JFETs: RF पावर एम्पलीफायर और स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए जंक्शन FETs। ये उपकरण उच्च आवृत्ति प्रदर्शन और उच्च तापीय स्थिरता प्रदान करते हैं।

3-4H-SiC शॉटकी डायोड: उच्च शक्ति, उच्च तापमान, उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए डायोड। ये उपकरण कम चालन और स्विचिंग हानि के साथ उच्च दक्षता प्रदान करते हैं।

4--4H-SiC ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण: उच्च शक्ति वाले लेज़र डायोड, यूवी डिटेक्टर और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक एकीकृत परिपथ जैसे क्षेत्रों में उपयोग किए जाने वाले उपकरण। इन उपकरणों में उच्च शक्ति और आवृत्ति विशेषताएँ होती हैं।

संक्षेप में, 2-इंच 4H-N नॉन-डोप्ड SiC वेफर्स में कई तरह के अनुप्रयोगों की क्षमता है, खासकर पावर इलेक्ट्रॉनिक्स और RF में। इनका उत्कृष्ट प्रदर्शन और उच्च तापमान स्थिरता इन्हें उच्च प्रदर्शन, उच्च तापमान और उच्च शक्ति वाले अनुप्रयोगों के लिए पारंपरिक सिलिकॉन सामग्रियों की जगह लेने का एक मज़बूत दावेदार बनाती है।