3 इंच व्यास 76.2 मिमी SiC सबस्ट्रेट्स HPSI प्राइम रिसर्च और डमी ग्रेड
सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट को दो श्रेणियों में विभाजित किया जा सकता है।
चालक सब्सट्रेट: 15~30mΩ-cm प्रतिरोधकता वाले सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट को संदर्भित करता है। चालक सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट से विकसित सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल वेफर को आगे चलकर विद्युत उपकरणों में परिवर्तित किया जा सकता है, जिनका व्यापक रूप से नई ऊर्जा वाहनों, फोटोवोल्टिक्स, स्मार्ट ग्रिड और रेल परिवहन में उपयोग किया जाता है।
अर्ध-अचालक सब्सट्रेट से तात्पर्य 100000Ω-cm से अधिक प्रतिरोधकता वाले सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट से है, जिसका उपयोग मुख्य रूप से गैलियम नाइट्राइड माइक्रोवेव रेडियो फ्रीक्वेंसी उपकरणों के निर्माण में किया जाता है, और यह वायरलेस संचार क्षेत्र का आधार है।
यह वायरलेस संचार के क्षेत्र में एक मूलभूत घटक है।
सिलिकॉन कार्बाइड के चालक और अर्ध-रोधक सब्सट्रेट का उपयोग इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और विद्युत उपकरणों की एक विस्तृत श्रृंखला में किया जाता है, जिनमें निम्नलिखित शामिल हैं, लेकिन इन्हीं तक सीमित नहीं हैं:
उच्च-शक्ति वाले अर्धचालक उपकरण (चालक): सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट में उच्च ब्रेकडाउन फील्ड स्ट्रेंथ और थर्मल चालकता होती है, और ये उच्च-शक्ति वाले ट्रांजिस्टर, डायोड और अन्य उपकरणों के उत्पादन के लिए उपयुक्त हैं।
आरएफ इलेक्ट्रॉनिक उपकरण (अर्ध-अछूते): सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट में उच्च स्विचिंग गति और पावर सहनशीलता होती है, जो आरएफ पावर एम्पलीफायर, माइक्रोवेव उपकरण और उच्च आवृत्ति स्विच जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।
ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण (अर्ध-अछूते): सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट में व्यापक ऊर्जा अंतराल और उच्च तापीय स्थिरता होती है, जो फोटोडायोड, सौर सेल और लेजर डायोड और अन्य उपकरणों के निर्माण के लिए उपयुक्त है।
तापमान सेंसर (चालक): सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट में उच्च तापीय चालकता और तापीय स्थिरता होती है, जो उच्च तापमान सेंसर और तापमान मापन उपकरणों के उत्पादन के लिए उपयुक्त है।
सिलिकॉन कार्बाइड के चालक और अर्ध-रोधक सब्सट्रेट के उत्पादन प्रक्रिया और अनुप्रयोग में व्यापक क्षेत्र और संभावनाएं मौजूद हैं, जो इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और विद्युत उपकरणों के विकास के लिए नई संभावनाएं प्रदान करती हैं।
विस्तृत आरेख
