2 इंच 6H-N सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट सिक वेफर डबल पॉलिश कंडक्टिव प्राइम ग्रेड Mos ग्रेड

6H n-प्रकार सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एकल-क्रिस्टल सब्सट्रेट एक आवश्यक अर्धचालक पदार्थ है जिसका व्यापक रूप से उच्च-शक्ति, उच्च-आवृत्ति और उच्च-तापमान इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है। अपनी षट्कोणीय क्रिस्टल संरचना के लिए प्रसिद्ध, 6H-N SiC एक विस्तृत बैंडगैप और उच्च तापीय चालकता प्रदान करता है, जो इसे कठिन वातावरणों के लिए आदर्श बनाता है।
इस पदार्थ का उच्च विखंडन विद्युत क्षेत्र और इलेक्ट्रॉन गतिशीलता, MOSFETs और IGBTs जैसे कुशल विद्युत इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के विकास को संभव बनाते हैं, जो पारंपरिक सिलिकॉन से बने उपकरणों की तुलना में उच्च वोल्टेज और तापमान पर काम कर सकते हैं। इसकी उत्कृष्ट तापीय चालकता प्रभावी ऊष्मा अपव्यय सुनिश्चित करती है, जो उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों में प्रदर्शन और विश्वसनीयता बनाए रखने के लिए महत्वपूर्ण है।
रेडियोफ्रीक्वेंसी (आरएफ) अनुप्रयोगों में, 6H-N SiC के गुण उच्च आवृत्तियों पर बेहतर दक्षता के साथ काम करने में सक्षम उपकरणों के निर्माण में सहायक होते हैं। इसकी रासायनिक स्थिरता और विकिरण प्रतिरोध इसे एयरोस्पेस और रक्षा क्षेत्रों सहित कठोर वातावरण में उपयोग के लिए भी उपयुक्त बनाते हैं।
इसके अलावा, 6H-N SiC सबस्ट्रेट्स ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों, जैसे पराबैंगनी फोटोडिटेक्टर, का अभिन्न अंग हैं, जहाँ उनका विस्तृत बैंडगैप कुशल यूवी प्रकाश संसूचन की अनुमति देता है। इन गुणों का संयोजन 6H n-प्रकार SiC को आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक तकनीकों को आगे बढ़ाने में एक बहुमुखी और अपरिहार्य पदार्थ बनाता है।