2इंच 6H-N सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट सिक वेफर डबल पॉलिश्ड कंडक्टिव प्राइम ग्रेड मॉस ग्रेड

6H एन-टाइप सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सिंगल-क्रिस्टल सब्सट्रेट एक आवश्यक अर्धचालक सामग्री है जिसका उपयोग बड़े पैमाने पर उच्च-शक्ति, उच्च-आवृत्ति और उच्च-तापमान इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों में किया जाता है। अपनी हेक्सागोनल क्रिस्टल संरचना के लिए प्रसिद्ध, 6H-N SiC एक विस्तृत बैंडगैप और उच्च तापीय चालकता प्रदान करता है, जो इसे मांग वाले वातावरण के लिए आदर्श बनाता है।
इस सामग्री का उच्च विखंडन विद्युत क्षेत्र और इलेक्ट्रॉन गतिशीलता MOSFETs और IGBTs जैसे कुशल बिजली इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के विकास को सक्षम बनाती है, जो पारंपरिक सिलिकॉन से बने उपकरणों की तुलना में उच्च वोल्टेज और तापमान पर काम कर सकते हैं। इसकी उत्कृष्ट तापीय चालकता प्रभावी ताप अपव्यय सुनिश्चित करती है, जो उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों में प्रदर्शन और विश्वसनीयता बनाए रखने के लिए महत्वपूर्ण है।
रेडियोफ्रीक्वेंसी (आरएफ) अनुप्रयोगों में, 6H-N SiC के गुण बेहतर दक्षता के साथ उच्च आवृत्तियों पर काम करने में सक्षम उपकरणों के निर्माण का समर्थन करते हैं। इसकी रासायनिक स्थिरता और विकिरण के प्रति प्रतिरोध भी इसे एयरोस्पेस और रक्षा क्षेत्रों सहित कठोर वातावरण में उपयोग के लिए उपयुक्त बनाता है।
इसके अलावा, 6H-N SiC सब्सट्रेट ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों, जैसे कि पराबैंगनी फोटोडिटेक्टर, के अभिन्न अंग हैं, जहां उनका विस्तृत बैंडगैप कुशल यूवी प्रकाश का पता लगाने की अनुमति देता है। इन गुणों का संयोजन 6H n-प्रकार SiC को आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक प्रौद्योगिकियों को आगे बढ़ाने में एक बहुमुखी और अपरिहार्य सामग्री बनाता है।