8इंच 200mm 4H-N SiC वेफर कंडक्टिव डमी रिसर्च ग्रेड

संक्षिप्त वर्णन:

जैसे-जैसे परिवहन, ऊर्जा और औद्योगिक बाजार विकसित हो रहे हैं, विश्वसनीय, उच्च प्रदर्शन वाले पावर इलेक्ट्रॉनिक्स की मांग बढ़ती जा रही है।बेहतर सेमीकंडक्टर प्रदर्शन की जरूरतों को पूरा करने के लिए, डिवाइस निर्माता व्यापक बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्रियों की तलाश कर रहे हैं, जैसे कि 4H एन-टाइप सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वेफर्स का हमारा 4H SiC प्राइम ग्रेड पोर्टफोलियो।

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वास्तु की बारीकी

उत्पाद टैग

अपने अद्वितीय भौतिक और इलेक्ट्रॉनिक गुणों के कारण, 200 मिमी SiC वेफर सेमीकंडक्टर सामग्री का उपयोग उच्च-प्रदर्शन, उच्च-तापमान, विकिरण-प्रतिरोधी और उच्च-आवृत्ति इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को बनाने के लिए किया जाता है।8 इंच SiC सब्सट्रेट की कीमत धीरे-धीरे कम हो रही है क्योंकि तकनीक अधिक उन्नत हो गई है और मांग बढ़ रही है।हाल के प्रौद्योगिकी विकास से 200 मिमी SiC वेफर्स के बड़े पैमाने पर उत्पादन को बढ़ावा मिला है।Si और GaAs वेफर्स की तुलना में SiC वेफर सेमीकंडक्टर सामग्री के मुख्य लाभ: हिमस्खलन टूटने के दौरान 4H-SiC की विद्युत क्षेत्र की ताकत Si और GaAs के लिए संबंधित मूल्यों की तुलना में अधिक परिमाण के क्रम से अधिक है।इससे रॉन की ऑन-स्टेट प्रतिरोधकता में उल्लेखनीय कमी आती है।कम ऑन-स्टेट प्रतिरोधकता, उच्च वर्तमान घनत्व और तापीय चालकता के साथ मिलकर, बिजली उपकरणों के लिए बहुत छोटे डाई के उपयोग की अनुमति देती है।SiC की उच्च तापीय चालकता चिप के तापीय प्रतिरोध को कम कर देती है।SiC वेफर्स पर आधारित उपकरणों के इलेक्ट्रॉनिक गुण समय के साथ और तापमान पर स्थिर होते हैं, जो उत्पादों की उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित करता है।सिलिकॉन कार्बाइड कठोर विकिरण के प्रति अत्यंत प्रतिरोधी है, जो चिप के इलेक्ट्रॉनिक गुणों को ख़राब नहीं करता है।क्रिस्टल का उच्च सीमित ऑपरेटिंग तापमान (6000C से अधिक) आपको कठोर परिचालन स्थितियों और विशेष अनुप्रयोगों के लिए अत्यधिक विश्वसनीय उपकरण बनाने की अनुमति देता है।वर्तमान में, हम छोटे बैच 200mmSiC वेफर्स की लगातार और लगातार आपूर्ति कर सकते हैं और गोदाम में कुछ स्टॉक है।

विनिर्देश

संख्या	वस्तु	इकाई	उत्पादन	अनुसंधान	डमी
1. पैरामीटर्स
1.1	बहुप्रकार	--	4H	4H	4H
1.2	सतह अभिविन्यास	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2. विद्युत पैरामीटर
2.1	डोपेंट	--	एन-प्रकार नाइट्रोजन	एन-प्रकार नाइट्रोजन	एन-प्रकार नाइट्रोजन
2.2	प्रतिरोधकता	ओम·सेमी	0.015~0.025	0.01~0.03	NA
3. यांत्रिक पैरामीटर
3.1	व्यास	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	मोटाई	माइक्रोन	500±25	500±25	500±25
3.3	पायदान अभिविन्यास	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	पायदान गहराई	mm	1~1.5	1~1.5	1~1.5
3.5	एलटीवी	माइक्रोन	≤5(10मिमी*10मिमी)	≤5(10मिमी*10मिमी)	≤10(10मिमी*10मिमी)
3.6	टीटीवी	माइक्रोन	≤10	≤10	≤15
3.7	झुकना	माइक्रोन	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	ताना	माइक्रोन	≤30	≤50	≤70
3.9	एएफएम	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4. संरचना
4.1	माइक्रोपाइप घनत्व	ईए/सेमी2	≤2	≤10	≤50
4.2	धातु सामग्री	परमाणु/सेमी2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	टीएसडी	ईए/सेमी2	≤500	≤1000	NA
4.4	बीपीडी	ईए/सेमी2	≤2000	≤5000	NA
4.5	टेड	ईए/सेमी2	≤7000	≤10000	NA
5. सकारात्मक गुणवत्ता
5.1	सामने	--	Si	Si	Si
5.2	सतह खत्म	--	सी-फेस सीएमपी	सी-फेस सीएमपी	सी-फेस सीएमपी
5.3	कण	ईए/वेफर	≤100(आकार≥0.3μm)	NA	NA
5.4	खरोंचना	ईए/वेफर	≤5,कुल लंबाई≤200मिमी	NA	NA
5.5	किनारा चिप्स/इंडेंट्स/दरारें/दाग/संदूषण	--	कोई नहीं	कोई नहीं	NA
5.6	बहुरूपी क्षेत्र	--	कोई नहीं	क्षेत्रफल ≤10%	क्षेत्रफल ≤30%
5.7	सामने का अंकन	--	कोई नहीं	कोई नहीं	कोई नहीं
6. पीछे की गुणवत्ता
6.1	पिछला समापन	--	सी-फेस एमपी	सी-फेस एमपी	सी-फेस एमपी
6.2	खरोंचना	mm	NA	NA	NA
6.3	पीछे दोष किनारा चिप्स/इंडेंट्स	--	कोई नहीं	कोई नहीं	NA
6.4	पीठ का खुरदरापन	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	पीछे का अंकन	--	निशान	निशान	निशान
7. किनारा
7.1	किनारा	--	नाला	नाला	नाला
8. पैकेज
8.1	पैकेजिंग	--	वैक्यूम के साथ एपी-रेडी पैकेजिंग	वैक्यूम के साथ एपी-रेडी पैकेजिंग	वैक्यूम के साथ एपी-रेडी पैकेजिंग
8.2	पैकेजिंग	--	बहु वेफर कैसेट पैकेजिंग	बहु वेफर कैसेट पैकेजिंग	बहु वेफर कैसेट पैकेजिंग