चीन से प्राप्त 4H-N Dia205mm SiC सीड, P और D ग्रेड मोनोक्रिस्टलाइन
पीवीटी (फिजिकल वेपर ट्रांसपोर्ट) विधि सिलिकॉन कार्बाइड के एकल क्रिस्टल उगाने की एक सामान्य विधि है। पीवीटी प्रक्रिया में, सिलिकॉन कार्बाइड के बीज क्रिस्टलों पर केंद्रित भौतिक वाष्पीकरण और परिवहन द्वारा सिलिकॉन कार्बाइड के एकल क्रिस्टल पदार्थ को जमा किया जाता है, जिससे नए सिलिकॉन कार्बाइड के एकल क्रिस्टल बीज क्रिस्टलों की संरचना के अनुदिश विकसित होते हैं।
पीवीटी विधि में, सिलिकॉन कार्बाइड का बीज क्रिस्टल वृद्धि के लिए प्रारंभिक बिंदु और टेम्पलेट के रूप में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, जो अंतिम एकल क्रिस्टल की गुणवत्ता और संरचना को प्रभावित करता है। पीवीटी वृद्धि प्रक्रिया के दौरान, तापमान, दबाव और गैस-चरण संरचना जैसे मापदंडों को नियंत्रित करके, सिलिकॉन कार्बाइड के एकल क्रिस्टलों की वृद्धि की जा सकती है, जिससे बड़े आकार के, उच्च गुणवत्ता वाले एकल क्रिस्टल पदार्थ प्राप्त होते हैं।
पीवीटी विधि द्वारा सिलिकॉन कार्बाइड बीज क्रिस्टल पर केंद्रित विकास प्रक्रिया सिलिकॉन कार्बाइड एकल क्रिस्टल के उत्पादन में बहुत महत्वपूर्ण है, और उच्च गुणवत्ता वाले, बड़े आकार के सिलिकॉन कार्बाइड एकल-क्रिस्टल सामग्री प्राप्त करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाती है।
हम जो 8 इंच का सिलिकॉन कार्बाइड सीड क्रिस्टल पेश करते हैं, वह वर्तमान में बाजार में बहुत दुर्लभ है। इसकी तकनीकी जटिलता के कारण, अधिकांश कारखाने बड़े आकार के सीड क्रिस्टल उपलब्ध नहीं करा पाते हैं। हालांकि, चीनी सिलिकॉन कार्बाइड कारखाने के साथ हमारे लंबे और घनिष्ठ संबंधों के कारण, हम अपने ग्राहकों को यह 8 इंच का सिलिकॉन कार्बाइड सीड वेफर उपलब्ध करा सकते हैं। यदि आपको किसी भी प्रकार की आवश्यकता हो, तो कृपया हमसे संपर्क करें। हम आपको पहले इसकी विशिष्टताएँ बता सकते हैं।
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