एनपीएसएस/एफएसएस पर 50.8मिमी/100मिमी AlN टेम्पलेट नीलम पर AlN टेम्पलेट

संक्षिप्त वर्णन:

AlN-On-Sapphire उन सामग्रियों के संयोजन को संदर्भित करता है जिसमें एल्युमिनियम नाइट्राइड फ़िल्मों को नीलम सब्सट्रेट पर उगाया जाता है। इस संरचना में, उच्च गुणवत्ता वाली एल्युमिनियम नाइट्राइड फ़िल्म को रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) या ऑर्गेनोमेट्रिकल रासायनिक वाष्प जमाव (MOCVD) द्वारा उगाया जा सकता है, जिससे एल्युमिनियम नाइट्राइड फ़िल्म और नीलम सब्सट्रेट का अच्छा संयोजन होता है। इस संरचना के लाभ यह हैं कि एल्युमिनियम नाइट्राइड में उच्च तापीय चालकता, उच्च रासायनिक स्थिरता और उत्कृष्ट ऑप्टिकल गुण होते हैं, जबकि नीलम सब्सट्रेट में उत्कृष्ट यांत्रिक और तापीय गुण और पारदर्शिता होती है।


उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

AlN-ऑन-नीलम

AlN-On-Sapphire का उपयोग विभिन्न प्रकार के फोटोइलेक्ट्रिक उपकरण बनाने के लिए किया जा सकता है, जैसे:
1. एलईडी चिप्स: एलईडी चिप्स आमतौर पर एल्यूमीनियम नाइट्राइड फिल्मों और अन्य सामग्रियों से बने होते हैं। एलईडी चिप्स के सब्सट्रेट के रूप में AlN-On-Sapphire वेफर्स का उपयोग करके एलईडी की दक्षता और स्थिरता में सुधार किया जा सकता है।
2. लेज़र: AlN-On-Sapphire वेफर्स का उपयोग लेज़रों के लिए सब्सट्रेट के रूप में भी किया जा सकता है, जिनका उपयोग आमतौर पर चिकित्सा, संचार और सामग्री प्रसंस्करण में किया जाता है।
3. सौर सेल: सौर सेल के निर्माण में एल्युमिनियम नाइट्राइड जैसी सामग्री का उपयोग करने की आवश्यकता होती है। सब्सट्रेट के रूप में AlN-On-Sapphire सौर सेल की दक्षता और जीवन को बेहतर बना सकता है।
4. अन्य ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण: AlN-On-Sapphire वेफर्स का उपयोग फोटोडिटेक्टर, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण और अन्य ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण के लिए भी किया जा सकता है।

निष्कर्ष में, AlN-On-Sapphire वेफर्स का उपयोग उनकी उच्च तापीय चालकता, उच्च रासायनिक स्थिरता, कम हानि और उत्कृष्ट ऑप्टिकल गुणों के कारण ऑप्टो-इलेक्ट्रिकल क्षेत्र में व्यापक रूप से किया जाता है।

एनपीएसएस/एफएसएस पर 50.8मिमी/100मिमी एएलएन टेम्पलेट

वस्तु टिप्पणी
विवरण AlN-on-NPSS टेम्पलेट AlN-on-FSS टेम्पलेट
वेफर व्यास 50.8मिमी, 100मिमी
सब्सट्रेट सी-प्लेन एनपीएसएस सी-प्लेन प्लानर सफायर (एफएसएस)
सब्सट्रेट मोटाई 50.8 मिमी, 100 मिमीसी-प्लेन प्लानर सफायर (एफएसएस)100 मिमी: 650 माइक्रोन
एआईएन एपि-लेयर की मोटाई 3~4 um (लक्ष्य: 3.3um)
प्रवाहकत्त्व इंसुलेटिंग

सतह

जैसे-जैसे बड़ा हुआ
आरएमएस<1एनएम आरएमएस<2एनएम
पीठ पिसा हुआ
एफडब्ल्यूएचएम(002)एक्सआरसी < 150 आर्कसेक < 150 आर्कसेक
एफडब्ल्यूएचएम(102)एक्सआरसी < 300 आर्कसेक < 300 आर्कसेक
एज एक्सक्लूज़न < 2मिमी < 3मिमी
प्राथमिक समतल अभिविन्यास ए-प्लेन+0.1°
प्राथमिक फ्लैट लंबाई 50.8मिमी: 16+/-1 मिमी 100मिमी: 30+/-1 मिमी
पैकेट शिपिंग बॉक्स या एकल वेफर कंटेनर में पैक किया गया

विस्तृत आरेख

sapphire3 पर FSS AlN टेम्पलेट
sapphire4 पर FSS AlN टेम्पलेट

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