एपिटैक्सियल परत
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200 मिमी 8 इंच GAN नीलम एपि-लेयर वेफर सब्सट्रेट पर
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आरएफ ध्वनिक उपकरणों के लिए उच्च-प्रदर्शन विषम सब्सट्रेट (एलएनओएसआईसी)
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4 इंच ग्लास पर GaN: JGS1, JGS2, BF33 और साधारण क्वार्ट्ज सहित अनुकूलन योग्य ग्लास विकल्प।
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AlN-on-NPSS वेफर: उच्च तापमान, उच्च शक्ति और RF अनुप्रयोगों के लिए गैर-पॉलिश किए गए नीलमणि सब्सट्रेट पर उच्च-प्रदर्शन एल्यूमीनियम नाइट्राइड परत
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अनुकूलित GaN-ऑन-SiC एपिटैक्सियल वेफर्स (100 मिमी, 150 मिमी) – कई SiC सबस्ट्रेट विकल्प (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
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GaN-ऑन-डायमंड वेफर्स, 4 इंच और 6 इंच, कुल एपि मोटाई (माइक्रोन में) 0.6 ~ 2.5 या उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित।
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गैलियम आर्सेनाइड वेफर पर आधारित GaAs उच्च-शक्ति एपिटैक्सियल वेफर सब्सट्रेट, लेजर चिकित्सा उपचार के लिए 905 एनएम तरंगदैर्ध्य वाला पावर लेजर।
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InGaAs एपिटैक्सियल वेफर सबस्ट्रेट पर आधारित PD ऐरे फोटोडिटेक्टर एरे का उपयोग LiDAR के लिए किया जा सकता है।
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फाइबर ऑप्टिक संचार या लिडार के लिए 2 इंच, 3 इंच, 4 इंच InP एपिटैक्सियल वेफर सबस्ट्रेट APD लाइट डिटेक्टर
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6 इंच SiC एपिटैक्सी वेफर N/P प्रकार, अनुकूलित स्वीकार्य।
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MOS या SBD के लिए 4 इंच SiC Epi वेफर
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माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स और रेडियो फ्रीक्वेंसी के लिए सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर सबस्ट्रेट एसओआई वेफर की तीन परतें