लेजर चिकित्सा उपचार के लिए GaAs उच्च शक्ति एपिटैक्सियल वेफर सब्सट्रेट गैलियम आर्सेनाइड वेफर पावर लेजर तरंगदैर्ध्य 905nm
GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट की प्रमुख विशेषताओं में शामिल हैं:
1. उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: गैलियम आर्सेनाइड में उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता होती है, जिसके कारण GaAs लेजर एपिटैक्सियल वेफर्स का उच्च आवृत्ति उपकरणों और उच्च गति वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में अच्छा अनुप्रयोग होता है।
2. प्रत्यक्ष बैंडगैप संक्रमण ल्यूमिनेसेंस: प्रत्यक्ष बैंडगैप सामग्री के रूप में, गैलियम आर्सेनाइड ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में विद्युत ऊर्जा को प्रकाश ऊर्जा में कुशलतापूर्वक परिवर्तित कर सकता है, जिससे यह लेजर के निर्माण के लिए आदर्श बन जाता है।
3. तरंगदैर्ध्य: GaAs 905 लेजर आमतौर पर 905 एनएम पर काम करते हैं, जिससे वे बायोमेडिसिन सहित कई अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हो जाते हैं।
4. उच्च दक्षता: उच्च फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण दक्षता के साथ, यह प्रभावी रूप से विद्युत ऊर्जा को लेजर आउटपुट में परिवर्तित कर सकता है।
5. उच्च शक्ति उत्पादन: यह उच्च शक्ति उत्पादन प्राप्त कर सकता है और ऐसे अनुप्रयोग परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है जिनमें मजबूत प्रकाश स्रोत की आवश्यकता होती है।
6. अच्छा थर्मल प्रदर्शन: GaAs सामग्री में अच्छी थर्मल चालकता होती है, जो लेजर के ऑपरेटिंग तापमान को कम करने और स्थिरता में सुधार करने में मदद करती है।
7. विस्तृत ट्यूनेबिलिटी: विभिन्न अनुप्रयोग आवश्यकताओं के अनुकूल ड्राइव करंट को बदलकर आउटपुट पावर को समायोजित किया जा सकता है।
GaAs लेजर एपिटैक्सियल टैबलेट के मुख्य अनुप्रयोगों में शामिल हैं:
1. ऑप्टिकल फाइबर संचार: GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट का उपयोग उच्च गति और लंबी दूरी के ऑप्टिकल सिग्नल ट्रांसमिशन को प्राप्त करने के लिए ऑप्टिकल फाइबर संचार में लेजर के निर्माण के लिए किया जा सकता है।
2. औद्योगिक अनुप्रयोग: औद्योगिक क्षेत्र में, GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट का उपयोग लेजर रेंजिंग, लेजर मार्किंग और अन्य अनुप्रयोगों के लिए किया जा सकता है।
3. वीसीएसईएल: वर्टिकल कैविटी सरफेस एमिटिंग लेजर (वीसीएसईएल) GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट का एक महत्वपूर्ण अनुप्रयोग क्षेत्र है, जिसका व्यापक रूप से ऑप्टिकल संचार, ऑप्टिकल भंडारण और ऑप्टिकल सेंसिंग में उपयोग किया जाता है।
4. इन्फ्रारेड और स्पॉट फील्ड: GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट का उपयोग इन्फ्रारेड लेजर, स्पॉट जनरेटर और अन्य उपकरणों के निर्माण के लिए भी किया जा सकता है, जो इन्फ्रारेड डिटेक्शन, लाइट डिस्प्ले और अन्य क्षेत्रों में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं।
GaAs लेज़र एपिटैक्सियल शीट की तैयारी मुख्य रूप से एपिटैक्सियल वृद्धि तकनीक पर निर्भर करती है, जिसमें धातु-कार्बनिक रासायनिक वाष्प निक्षेपण (MOCVD), आणविक किरण एपिटैक्सियल (MBE) और अन्य विधियाँ शामिल हैं। ये तकनीकें उच्च-गुणवत्ता वाली GaAs लेज़र एपिटैक्सियल शीट प्राप्त करने के लिए एपिटैक्सियल परत की मोटाई, संरचना और क्रिस्टल संरचना को सटीक रूप से नियंत्रित कर सकती हैं।
XKH विभिन्न संरचनाओं और मोटाई में GaAs एपिटैक्सियल शीट्स के अनुकूलन प्रदान करता है, जो ऑप्टिकल संचार, VCSEL, इन्फ्रारेड और लाइट स्पॉट क्षेत्रों में अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला को कवर करते हैं। XKH के उत्पाद उच्च प्रदर्शन और विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए उन्नत MOCVD उपकरणों से निर्मित होते हैं। लॉजिस्टिक्स के संदर्भ में, XKH के पास अंतर्राष्ट्रीय स्रोत चैनलों की एक विस्तृत श्रृंखला है, जो लचीले ढंग से ऑर्डर की संख्या को संभाल सकती है, और शोधन और उपविभाजन जैसी मूल्यवर्धित सेवाएँ प्रदान कर सकती है। कुशल वितरण प्रक्रियाएँ समय पर वितरण सुनिश्चित करती हैं और गुणवत्ता और वितरण समय के लिए ग्राहकों की आवश्यकताओं को पूरा करती हैं। ग्राहक आगमन के बाद व्यापक तकनीकी सहायता और बिक्री के बाद सेवा प्राप्त कर सकते हैं ताकि यह सुनिश्चित हो सके कि उत्पाद का सुचारू रूप से उपयोग किया जा सके।
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