लेजर चिकित्सा उपचार के लिए GaAs हाई-पावर एपिटैक्सियल वेफर सब्सट्रेट गैलियम आर्सेनाइड वेफर पावर लेजर वेवलेंथ 905nm
GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट की मुख्य विशेषताओं में शामिल हैं:
1. उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: गैलियम आर्सेनाइड में उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता होती है, जिससे GaAs लेजर एपिटैक्सियल वेफर्स का उच्च आवृत्ति उपकरणों और उच्च गति वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में अच्छा अनुप्रयोग होता है।
2.डायरेक्ट बैंडगैप ट्रांज़िशन ल्यूमिनसेंस: प्रत्यक्ष बैंडगैप सामग्री के रूप में, गैलियम आर्सेनाइड ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में विद्युत ऊर्जा को प्रकाश ऊर्जा में कुशलतापूर्वक परिवर्तित कर सकता है, जो इसे लेजर के निर्माण के लिए आदर्श बनाता है।
3.वेवलेंथ: GaAs 905 लेजर आमतौर पर 905 एनएम पर काम करते हैं, जो उन्हें बायोमेडिसिन सहित कई अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।
4. उच्च दक्षता: उच्च फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण दक्षता के साथ, यह विद्युत ऊर्जा को प्रभावी ढंग से लेजर आउटपुट में परिवर्तित कर सकता है।
5. उच्च बिजली उत्पादन: यह उच्च बिजली उत्पादन प्राप्त कर सकता है और उन अनुप्रयोग परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है जिनके लिए एक मजबूत प्रकाश स्रोत की आवश्यकता होती है।
6. अच्छा तापीय प्रदर्शन: GaAs सामग्री में अच्छी तापीय चालकता होती है, जो लेजर के ऑपरेटिंग तापमान को कम करने और स्थिरता में सुधार करने में मदद करती है।
7. वाइड ट्यूनेबिलिटी: विभिन्न एप्लिकेशन आवश्यकताओं के अनुकूल ड्राइव करंट को बदलकर आउटपुट पावर को समायोजित किया जा सकता है।
GaAs लेजर एपिटैक्सियल टैबलेट के मुख्य अनुप्रयोगों में शामिल हैं:
1. ऑप्टिकल फाइबर संचार: उच्च गति और लंबी दूरी के ऑप्टिकल सिग्नल ट्रांसमिशन को प्राप्त करने के लिए ऑप्टिकल फाइबर संचार में लेजर के निर्माण के लिए GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट का उपयोग किया जा सकता है।
2. औद्योगिक अनुप्रयोग: औद्योगिक क्षेत्र में, GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट का उपयोग लेजर रेंजिंग, लेजर मार्किंग और अन्य अनुप्रयोगों के लिए किया जा सकता है।
3. वीसीएसईएल: वर्टिकल कैविटी सरफेस एमिटिंग लेजर (वीसीएसईएल) GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट का एक महत्वपूर्ण अनुप्रयोग क्षेत्र है, जिसका व्यापक रूप से ऑप्टिकल संचार, ऑप्टिकल स्टोरेज और ऑप्टिकल सेंसिंग में उपयोग किया जाता है।
4. इन्फ्रारेड और स्पॉट फील्ड: GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट का उपयोग इन्फ्रारेड लेजर, स्पॉट जनरेटर और अन्य उपकरणों के निर्माण के लिए भी किया जा सकता है, जो इन्फ्रारेड डिटेक्शन, लाइट डिस्प्ले और अन्य क्षेत्रों में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं।
GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट की तैयारी मुख्य रूप से एपिटैक्सियल विकास तकनीक पर निर्भर करती है, जिसमें धातु-कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (MOCVD), आणविक बीम एपिटैक्सियल (MBE) और अन्य तरीके शामिल हैं। ये तकनीकें उच्च गुणवत्ता वाले GaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट प्राप्त करने के लिए एपिटैक्सियल परत की मोटाई, संरचना और क्रिस्टल संरचना को सटीक रूप से नियंत्रित कर सकती हैं।
XKH ऑप्टिकल संचार, वीसीएसईएल, इन्फ्रारेड और लाइट स्पॉट क्षेत्रों में अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला को कवर करते हुए, विभिन्न संरचनाओं और मोटाई में GaAs एपिटैक्सियल शीट के अनुकूलन की पेशकश करता है। उच्च प्रदर्शन और विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए XKH के उत्पाद उन्नत MOCVD उपकरणों के साथ निर्मित होते हैं। लॉजिस्टिक्स के संदर्भ में, एक्सकेएच के पास अंतरराष्ट्रीय स्रोत चैनलों की एक विस्तृत श्रृंखला है, जो लचीले ढंग से ऑर्डर की संख्या को संभाल सकती है, और शोधन और उपविभाजन जैसी मूल्य वर्धित सेवाएं प्रदान कर सकती है। कुशल वितरण प्रक्रियाएं समय पर डिलीवरी सुनिश्चित करती हैं और गुणवत्ता और डिलीवरी समय के लिए ग्राहकों की आवश्यकताओं को पूरा करती हैं। ग्राहक आगमन के बाद व्यापक तकनीकी सहायता और बिक्री उपरांत सेवा प्राप्त कर सकते हैं ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि उत्पाद का उपयोग सुचारू रूप से किया जा सके।