गैलियम नाइट्राइड (GaN) एपिटैक्सियल नीलम वेफर्स पर उगाया गया 4 इंच 6 इंच MEMS के लिए
नीलम वेफर्स पर GaN के गुण
●उच्च दक्षता:GaN-आधारित उपकरण सिलिकॉन-आधारित उपकरणों की तुलना में पांच गुना अधिक शक्ति प्रदान करते हैं, जिससे RF प्रवर्धन और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स सहित विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों में प्रदर्शन में वृद्धि होती है।
●वाइड बैंडगैप:GaN का विस्तृत बैंडगैप उच्च तापमान पर उच्च दक्षता प्रदान करता है, जिससे यह उच्च-शक्ति और उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बन जाता है।
●स्थायित्व:चरम स्थितियों (उच्च तापमान और विकिरण) को संभालने की GaN की क्षमता कठोर वातावरण में दीर्घकालिक प्रदर्शन सुनिश्चित करती है।
●छोटा आकार:GaN पारंपरिक अर्धचालक सामग्रियों की तुलना में अधिक कॉम्पैक्ट और हल्के उपकरणों के उत्पादन की अनुमति देता है, जिससे छोटे और अधिक शक्तिशाली इलेक्ट्रॉनिक्स की सुविधा मिलती है।
अमूर्त
गैलियम नाइट्राइड (GaN) उच्च शक्ति और दक्षता की आवश्यकता वाले उन्नत अनुप्रयोगों, जैसे कि आरएफ फ्रंट-एंड मॉड्यूल, उच्च-गति संचार प्रणालियाँ और एलईडी प्रकाश व्यवस्था, के लिए पसंदीदा अर्धचालक के रूप में उभर रहा है। नीलम सब्सट्रेट पर उगाए जाने पर, GaN एपिटैक्सियल वेफर्स उच्च तापीय चालकता, उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज और व्यापक आवृत्ति प्रतिक्रिया का संयोजन प्रदान करते हैं, जो वायरलेस संचार उपकरणों, रडार और जैमर में इष्टतम प्रदर्शन के लिए महत्वपूर्ण हैं। ये वेफर्स 4-इंच और 6-इंच व्यास दोनों में उपलब्ध हैं, और विभिन्न तकनीकी आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए GaN की मोटाई अलग-अलग हो सकती है। GaN के अद्वितीय गुण इसे पावर इलेक्ट्रॉनिक्स के भविष्य के लिए एक प्रमुख उम्मीदवार बनाते हैं।
उत्पाद पैरामीटर
| उत्पाद सुविधा | विनिर्देश |
| वेफर व्यास | 50 मिमी, 100 मिमी, 50.8 मिमी |
| सब्सट्रेट | नीलम |
| GaN परत की मोटाई | 0.5 माइक्रोन - 10 माइक्रोन |
| GaN प्रकार/डोपिंग | एन-प्रकार (अनुरोध पर पी-प्रकार उपलब्ध) |
| GaN क्रिस्टल अभिविन्यास | <0001> |
| पॉलिशिंग प्रकार | सिंगल-साइड पॉलिश्ड (एसएसपी), डबल-साइड पॉलिश्ड (डीएसपी) |
| Al2O3 मोटाई | 430 माइक्रोन - 650 माइक्रोन |
| टीटीवी (कुल मोटाई भिन्नता) | ≤ 10 माइक्रोन |
| झुकना | ≤ 10 माइक्रोन |
| ताना | ≤ 10 माइक्रोन |
| सतह क्षेत्रफल | उपयोगी सतह क्षेत्र > 90% |
प्रश्नोत्तर
प्रश्न 1: पारंपरिक सिलिकॉन-आधारित अर्धचालकों की तुलना में GaN का उपयोग करने के प्रमुख लाभ क्या हैं?
A1GaN, सिलिकॉन की तुलना में कई महत्वपूर्ण लाभ प्रदान करता है, जिसमें एक व्यापक बैंडगैप भी शामिल है, जो इसे उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज को संभालने और उच्च तापमान पर कुशलतापूर्वक संचालित करने में सक्षम बनाता है। यह GaN को उच्च-शक्ति, उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों जैसे RF मॉड्यूल, पावर एम्पलीफायर और LED के लिए आदर्श बनाता है। GaN की उच्च शक्ति घनत्व को संभालने की क्षमता, सिलिकॉन-आधारित विकल्पों की तुलना में छोटे और अधिक कुशल उपकरणों को भी सक्षम बनाती है।
प्रश्न 2: क्या सैफायर वेफर्स पर GaN का उपयोग MEMS (माइक्रो-इलेक्ट्रो-मैकेनिकल सिस्टम) अनुप्रयोगों में किया जा सकता है?
A2हाँ, सैफायर वेफर्स पर GaN, MEMS अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, खासकर जहाँ उच्च शक्ति, तापमान स्थिरता और कम शोर की आवश्यकता होती है। उच्च-आवृत्ति वाले वातावरण में इस सामग्री का स्थायित्व और दक्षता इसे वायरलेस संचार, सेंसिंग और रडार प्रणालियों में उपयोग किए जाने वाले MEMS उपकरणों के लिए आदर्श बनाती है।
प्रश्न 3: वायरलेस संचार में GaN के संभावित अनुप्रयोग क्या हैं?
A3GaN का व्यापक रूप से वायरलेस संचार के लिए RF फ्रंट-एंड मॉड्यूल में उपयोग किया जाता है, जिसमें 5G इन्फ्रास्ट्रक्चर, रडार सिस्टम और जैमर शामिल हैं। इसकी उच्च शक्ति घनत्व और तापीय चालकता इसे उच्च-शक्ति, उच्च-आवृत्ति वाले उपकरणों के लिए आदर्श बनाती है, जिससे सिलिकॉन-आधारित समाधानों की तुलना में बेहतर प्रदर्शन और छोटे फ़ॉर्म फ़ैक्टर प्राप्त होते हैं।
प्रश्न 4: सैफायर वेफर्स पर GaN के लिए लीड समय और न्यूनतम ऑर्डर मात्रा क्या हैं?
A4: लीड समय और न्यूनतम ऑर्डर मात्रा वेफर के आकार, GaN की मोटाई और विशिष्ट ग्राहक आवश्यकताओं के आधार पर भिन्न होती है। कृपया अपनी आवश्यकताओं के आधार पर विस्तृत मूल्य निर्धारण और उपलब्धता के लिए हमसे सीधे संपर्क करें।
प्रश्न 5: क्या मैं कस्टम GaN परत मोटाई या डोपिंग स्तर प्राप्त कर सकता हूँ?
A5हाँ, हम विशिष्ट अनुप्रयोग आवश्यकताओं के अनुरूप GaN मोटाई और डोपिंग स्तरों का अनुकूलन प्रदान करते हैं। कृपया हमें अपनी इच्छित विशिष्टताएँ बताएँ, और हम आपके लिए एक अनुकूलित समाधान प्रदान करेंगे।
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