InGaAs एपिटैक्सियल वेफर सब्सट्रेट PD ऐरे फोटोडिटेक्टर सरणियों का उपयोग LiDAR के लिए किया जा सकता है
InGaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट की प्रमुख विशेषताओं में शामिल हैं
1. जाली मिलान: InGaAs एपीटैक्सियल परत और InP या GaAs सब्सट्रेट के बीच अच्छा जाली मिलान प्राप्त किया जा सकता है, जिससे एपीटैक्सियल परत के दोष घनत्व को कम किया जा सकता है और डिवाइस के प्रदर्शन में सुधार किया जा सकता है।
2. समायोज्य बैंड गैप: InGaAs सामग्री के बैंड गैप को In और Ga घटकों के अनुपात को समायोजित करके प्राप्त किया जा सकता है, जिससे InGaAs एपिटैक्सियल शीट में ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में अनुप्रयोग की संभावनाओं की एक विस्तृत श्रृंखला होती है।
3. उच्च प्रकाश संवेदनशीलता: InGaAs एपिटैक्सियल फिल्म में प्रकाश के प्रति उच्च संवेदनशीलता होती है, जो इसे फोटोइलेक्ट्रिक डिटेक्शन, ऑप्टिकल संचार और अन्य अद्वितीय लाभ प्रदान करती है।
4. उच्च तापमान स्थिरता: InGaAs/InP एपिटैक्सियल संरचना में उत्कृष्ट उच्च तापमान स्थिरता होती है, और यह उच्च तापमान पर स्थिर उपकरण प्रदर्शन बनाए रख सकती है।
InGaAs लेजर एपिटैक्सियल टैबलेट के मुख्य अनुप्रयोगों में शामिल हैं
1. ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण: InGaAs एपिटैक्सियल टैबलेट का उपयोग फोटोडायोड, फोटोडिटेक्टर और अन्य ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण के लिए किया जा सकता है, जिनके ऑप्टिकल संचार, रात्रि दृष्टि और अन्य क्षेत्रों में अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला है।
2. लेज़र: InGaAs एपिटैक्सियल शीट का उपयोग लेज़रों, विशेष रूप से लंबी तरंगदैर्ध्य वाले लेज़रों के निर्माण के लिए भी किया जा सकता है, जो ऑप्टिकल फाइबर संचार, औद्योगिक प्रसंस्करण और अन्य क्षेत्रों में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं।
3. सौर सेल: InGaAs सामग्री में एक विस्तृत बैंड गैप समायोजन रेंज होती है, जो थर्मल फोटोवोल्टिक कोशिकाओं द्वारा आवश्यक बैंड गैप आवश्यकताओं को पूरा कर सकती है, इसलिए InGaAs एपिटैक्सियल शीट में सौर कोशिकाओं के क्षेत्र में भी कुछ अनुप्रयोग क्षमता होती है।
4. मेडिकल इमेजिंग: मेडिकल इमेजिंग उपकरणों (जैसे सीटी, एमआरआई, आदि) में, पता लगाने और इमेजिंग के लिए।
5. सेंसर नेटवर्क: पर्यावरण निगरानी और गैस का पता लगाने में, एक साथ कई मापदंडों की निगरानी की जा सकती है।
6. औद्योगिक स्वचालन: उत्पादन लाइन पर वस्तुओं की स्थिति और गुणवत्ता की निगरानी के लिए मशीन विज़न सिस्टम में उपयोग किया जाता है।
भविष्य में, InGaAs एपिटैक्सियल सब्सट्रेट के भौतिक गुणों में निरंतर सुधार होता रहेगा, जिसमें प्रकाश-विद्युत रूपांतरण दक्षता में सुधार और शोर के स्तर में कमी शामिल है। इससे InGaAs एपिटैक्सियल सब्सट्रेट का ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में अधिक व्यापक रूप से उपयोग होगा और इसका प्रदर्शन और भी बेहतर होगा। साथ ही, लागत कम करने और दक्षता में सुधार के लिए तैयारी प्रक्रिया को भी निरंतर अनुकूलित किया जाएगा, ताकि बड़े बाजार की ज़रूरतों को पूरा किया जा सके।
सामान्य तौर पर, InGaAs एपिटैक्सियल सब्सट्रेट अपनी अनूठी विशेषताओं और व्यापक अनुप्रयोग संभावनाओं के साथ अर्धचालक पदार्थों के क्षेत्र में एक महत्वपूर्ण स्थान रखता है।
XKH विभिन्न संरचनाओं और मोटाई वाली InGaAs एपिटैक्सियल शीट्स के अनुकूलन प्रदान करता है, जो ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों, लेज़रों और सौर कोशिकाओं के लिए अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला को कवर करती हैं। XKH के उत्पाद उच्च प्रदर्शन और विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए उन्नत MOCVD उपकरणों से निर्मित होते हैं। लॉजिस्टिक्स के संदर्भ में, XKH के पास अंतर्राष्ट्रीय स्रोत चैनलों की एक विस्तृत श्रृंखला है, जो ऑर्डर की संख्या को लचीले ढंग से संभाल सकती है और रिफाइनमेंट और सेगमेंटेशन जैसी मूल्यवर्धित सेवाएँ प्रदान कर सकती है। कुशल वितरण प्रक्रियाएँ समय पर वितरण सुनिश्चित करती हैं और गुणवत्ता और वितरण समय के लिए ग्राहकों की आवश्यकताओं को पूरा करती हैं।
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