InGaAs एपिटैक्सियल वेफर सबस्ट्रेट पर आधारित PD ऐरे फोटोडिटेक्टर एरे का उपयोग LiDAR के लिए किया जा सकता है।
InGaAs लेजर एपिटैक्सियल शीट की प्रमुख विशेषताओं में शामिल हैं:
1. जाली मिलान: InGaAs एपिटैक्सियल परत और InP या GaAs सब्सट्रेट के बीच अच्छा जाली मिलान प्राप्त किया जा सकता है, जिससे एपिटैक्सियल परत के दोष घनत्व को कम किया जा सकता है और डिवाइस के प्रदर्शन में सुधार किया जा सकता है।
2. समायोज्य बैंड गैप: InGaAs सामग्री का बैंड गैप In और Ga घटकों के अनुपात को समायोजित करके प्राप्त किया जा सकता है, जो InGaAs एपिटैक्सियल शीट को ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में अनुप्रयोग की व्यापक संभावनाएं प्रदान करता है।
3. उच्च प्रकाश संवेदनशीलता: InGaAs एपिटैक्सियल फिल्म में प्रकाश के प्रति उच्च संवेदनशीलता होती है, जो इसे फोटोइलेक्ट्रिक डिटेक्शन, ऑप्टिकल संचार और अन्य क्षेत्रों में अद्वितीय लाभ प्रदान करती है।
4. उच्च तापमान स्थिरता: InGaAs/InP एपिटैक्सियल संरचना में उत्कृष्ट उच्च तापमान स्थिरता होती है, और यह उच्च तापमान पर स्थिर उपकरण प्रदर्शन बनाए रख सकती है।
InGaAs लेजर एपिटैक्सियल टैबलेट के मुख्य अनुप्रयोगों में निम्नलिखित शामिल हैं:
1. ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण: InGaAs एपिटैक्सियल टैबलेट का उपयोग फोटोडायोड, फोटोडिटेक्टर और अन्य ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण के लिए किया जा सकता है, जिनका ऑप्टिकल संचार, नाइट विजन और अन्य क्षेत्रों में व्यापक अनुप्रयोग है।
2. लेजर: InGaAs एपिटैक्सियल शीट का उपयोग लेजर, विशेष रूप से लंबी तरंगदैर्ध्य वाले लेजर के निर्माण के लिए भी किया जा सकता है, जो ऑप्टिकल फाइबर संचार, औद्योगिक प्रसंस्करण और अन्य क्षेत्रों में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं।
3. सौर सेल: InGaAs सामग्री में बैंड गैप समायोजन की एक विस्तृत श्रृंखला होती है, जो थर्मल फोटोवोल्टिक सेल द्वारा आवश्यक बैंड गैप आवश्यकताओं को पूरा कर सकती है, इसलिए InGaAs एपिटैक्सियल शीट में सौर सेल के क्षेत्र में भी निश्चित अनुप्रयोग क्षमता है।
4. मेडिकल इमेजिंग: मेडिकल इमेजिंग उपकरणों (जैसे सीटी, एमआरआई, आदि) में, जांच और इमेजिंग के लिए।
5. सेंसर नेटवर्क: पर्यावरण निगरानी और गैस पहचान में, कई मापदंडों की एक साथ निगरानी की जा सकती है।
6. औद्योगिक स्वचालन: उत्पादन लाइन पर वस्तुओं की स्थिति और गुणवत्ता की निगरानी के लिए मशीन विज़न सिस्टम में उपयोग किया जाता है।
भविष्य में, InGaAs एपिटैक्सियल सबस्ट्रेट के भौतिक गुणों में लगातार सुधार होगा, जिसमें फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण दक्षता में वृद्धि और शोर स्तर में कमी शामिल है। इससे ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में InGaAs एपिटैक्सियल सबस्ट्रेट का उपयोग व्यापक रूप से बढ़ेगा और इसका प्रदर्शन और भी उत्कृष्ट होगा। साथ ही, लागत कम करने और दक्षता बढ़ाने के लिए निर्माण प्रक्रिया को भी लगातार अनुकूलित किया जाएगा, ताकि व्यापक बाजार की आवश्यकताओं को पूरा किया जा सके।
सामान्य तौर पर, InGaAs एपिटैक्सियल सब्सट्रेट अपनी अनूठी विशेषताओं और व्यापक अनुप्रयोग संभावनाओं के साथ अर्धचालक सामग्री के क्षेत्र में एक महत्वपूर्ण स्थान रखता है।
XKH विभिन्न संरचनाओं और मोटाई वाली InGaAs एपिटैक्सियल शीट्स के अनुकूलन की सुविधा प्रदान करता है, जो ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों, लेजर और सौर सेल जैसे अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला को कवर करती है। XKH के उत्पाद उन्नत MOCVD उपकरणों से निर्मित होते हैं, जो उच्च प्रदर्शन और विश्वसनीयता सुनिश्चित करते हैं। लॉजिस्टिक्स के मामले में, XKH के पास अंतरराष्ट्रीय स्तर पर कई स्रोत चैनल हैं, जो ऑर्डर की संख्या को लचीले ढंग से संभाल सकते हैं और परिष्करण और विभाजन जैसी मूल्यवर्धित सेवाएं प्रदान करते हैं। कुशल वितरण प्रक्रियाएं समय पर डिलीवरी सुनिश्चित करती हैं और गुणवत्ता और डिलीवरी समय के लिए ग्राहकों की आवश्यकताओं को पूरा करती हैं।
विस्तृत आरेख
