LiNbO₃ वेफर्स 2 इंच-8 इंच मोटाई 0.1 ~ 0.5 मिमी टीटीवी 3µm कस्टम

संक्षिप्त वर्णन:

LiNbO₃ वेफर्स एकीकृत फोटोनिक्स और सटीक ध्वनिकी में स्वर्ण मानक का प्रतिनिधित्व करते हैं, और आधुनिक ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों में अद्वितीय प्रदर्शन प्रदान करते हैं। एक अग्रणी निर्माता के रूप में, हमने उन्नत वाष्प परिवहन संतुलन तकनीकों के माध्यम से इन इंजीनियर्ड सबस्ट्रेट्स के उत्पादन की कला में निपुणता प्राप्त की है, और 50/cm² से कम दोष घनत्व के साथ उद्योग-अग्रणी क्रिस्टलीय पूर्णता प्राप्त की है।

XKH उत्पादन क्षमताएँ 75 मिमी से 150 मिमी व्यास तक फैली हुई हैं, जिसमें सटीक अभिविन्यास नियंत्रण (X/Y/Z-कट ±0.3°) और दुर्लभ-पृथ्वी तत्वों सहित विशिष्ट डोपिंग विकल्प शामिल हैं। LiNbO₃ वेफर्स के गुणों का अनूठा संयोजन - जिसमें उनका उल्लेखनीय r₃₃ गुणांक (32±2 pm/V) और निकट-UV से मध्य-IR तक व्यापक पारदर्शिता शामिल है - उन्हें अगली पीढ़ी के फोटोनिक सर्किट और उच्च-आवृत्ति वाले ध्वनिक उपकरणों के लिए अपरिहार्य बनाता है।


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  • विशेषताएँ

    तकनीकी मापदंड

    सामग्री ऑप्टिकल ग्रेड LiNbO3 वेफ्स
    क्यूरी टेम्प 1142±2.0℃
    काटने का कोण एक्स/वाई/जेड आदि
    व्यास/आकार 2"/3"/4"/6"/8"
    टोल(±) <0.20 मिमी
    मोटाई 0.1 ~ 0.5 मिमी या अधिक
    प्राथमिक फ्लैट 16 मिमी/22 मिमी/32 मिमी
    टीटीवी <3µm
    झुकना -30
    ताना <40µm
    ओरिएंटेशन फ्लैट सभी उपलब्ध
    सतह का प्रकार एक तरफ पॉलिश /दो तरफ पॉलिश
    पॉलिश किया हुआ पक्ष रा <0.5एनएम
    एस/डी 20/10
    एज मानदंड R=0.2 मिमी या बुलनोज़
    ऑप्टिकल डोप्ड ऑप्टिकल ग्रेड LN< वेफर्स के लिए Fe/Zn/MgO आदि
    वेफर सतह मानदंड अपवर्तक सूचकांक No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm तरंगदैर्ध्य
    दूषण, कोई नहीं
    कण ¢>0.3 µ m <= 30
    खरोंच, छिलना कोई नहीं
    दोष कोई किनारे पर दरारें, खरोंच, आरी के निशान, दाग नहीं
    पैकेजिंग मात्रा/वेफर बॉक्स 25 पीस प्रति बॉक्स

    हमारे LiNbO₃ वेफर्स की मुख्य विशेषताएँ

    1.फोटोनिक प्रदर्शन विशेषताएँ

    हमारे LiNbO₃ वेफर्स असाधारण प्रकाश-पदार्थ अंतःक्रिया क्षमताएँ प्रदर्शित करते हैं, जिनके अरैखिक प्रकाशीय गुणांक 42 pm/V तक पहुँचते हैं - जो क्वांटम फोटोनिक्स के लिए महत्वपूर्ण कुशल तरंगदैर्ध्य रूपांतरण प्रक्रियाओं को सक्षम बनाते हैं। ये सबस्ट्रेट्स 320-5200nm पर >72% संचरण बनाए रखते हैं, और विशेष रूप से डिज़ाइन किए गए संस्करण दूरसंचार तरंगदैर्ध्य पर <0.2dB/cm प्रसार हानि प्राप्त करते हैं।

    2. ध्वनिक तरंग इंजीनियरिंग

    हमारे LiNbO₃ वेफर्स की क्रिस्टलीय संरचना 3800 मीटर/सेकंड से अधिक की सतही तरंग वेगों को सहन करती है, जिससे 12GHz तक अनुनादक संचालन संभव होता है। हमारी स्वामित्व वाली पॉलिशिंग तकनीकें ±15ppm/°C के भीतर तापमान स्थिरता बनाए रखते हुए, 1.2dB से कम सम्मिलन हानि वाले सतही ध्वनिक तरंग (SAW) उपकरण प्रदान करती हैं।

    3. पर्यावरणीय लचीलापन

    चरम स्थितियों का सामना करने के लिए डिज़ाइन किए गए, हमारे LiNbO₃ वेफ़र्स क्रायोजेनिक तापमान से लेकर 500°C तक के परिचालन वातावरण में अपनी कार्यक्षमता बनाए रखते हैं। यह सामग्री असाधारण विकिरण कठोरता प्रदर्शित करती है, और बिना किसी महत्वपूर्ण प्रदर्शन गिरावट के 1Mrad से अधिक कुल आयनीकरण खुराक को सहन कर सकती है।

    4.एप्लिकेशन-विशिष्ट कॉन्फ़िगरेशन

    हम डोमेन-इंजीनियर्ड वेरिएंट प्रदान करते हैं जिनमें शामिल हैं:
    5-50μm डोमेन अवधियों के साथ आवधिक रूप से ध्रुवित संरचनाएं
    हाइब्रिड एकीकरण के लिए आयन-स्लाइस की गई पतली फिल्में
    विशिष्ट अनुप्रयोगों के लिए मेटामटेरियल-संवर्धित संस्करण

    LiNbO₃ वेफर्स के लिए कार्यान्वयन परिदृश्य

    1.अगली पीढ़ी के ऑप्टिकल नेटवर्क
    LiNbO₃ वेफर्स टेराबिट-स्केल ऑप्टिकल ट्रांसीवर्स के लिए आधारशिला का काम करते हैं, जो उन्नत नेस्टेड मॉड्यूलेटर डिज़ाइनों के माध्यम से 800Gbps सुसंगत ट्रांसमिशन को सक्षम बनाते हैं। हमारे सबस्ट्रेट्स को AI/ML एक्सेलरेटर सिस्टम में को-पैकेज्ड ऑप्टिक्स कार्यान्वयन के लिए तेज़ी से अपनाया जा रहा है।
    2.6G आरएफ फ्रंटएंड्स
    LiNbO₃ वेफर्स की नवीनतम पीढ़ी 20GHz तक अल्ट्रा-वाइडबैंड फ़िल्टरिंग का समर्थन करती है, जो उभरते 6G मानकों की स्पेक्ट्रम आवश्यकताओं को पूरा करती है। हमारी सामग्रियाँ 2000 से भी अधिक Q कारकों वाले नवीन ध्वनिक अनुनादक आर्किटेक्चर को सक्षम बनाती हैं।
    3.क्वांटम सूचना प्रणाली
    परिशुद्ध-ध्रुवीय LiNbO₃ वेफर्स 90% से अधिक युग्म निर्माण दक्षता वाले उलझे हुए फोटॉन स्रोतों का आधार बनते हैं। हमारे सबस्ट्रेट्स फोटोनिक क्वांटम कंप्यूटिंग और सुरक्षित संचार नेटवर्क में सफलताओं को संभव बना रहे हैं।
    4.उन्नत संवेदन समाधान
    1550nm पर संचालित ऑटोमोटिव LiDAR से लेकर अति-संवेदनशील ग्रैविमेट्रिक सेंसर तक, LiNbO₃ वेफ़र्स महत्वपूर्ण ट्रांसडक्शन प्लेटफ़ॉर्म प्रदान करते हैं। हमारी सामग्रियाँ एकल-अणु संसूचन स्तर तक सेंसर रिज़ॉल्यूशन को सक्षम बनाती हैं।

    LiNbO₃वेफर्स के प्रमुख लाभ

    1. अद्वितीय इलेक्ट्रो-ऑप्टिक प्रदर्शन
    असाधारण रूप से उच्च इलेक्ट्रो-ऑप्टिक गुणांक (r₃₃~30-32 pm/V): वाणिज्यिक लिथियम नियोबेट वेफर्स के लिए उद्योग मानक का प्रतिनिधित्व करता है, जो 200Gbps+ उच्च गति वाले ऑप्टिकल मॉड्यूलेटर को सक्षम करता है जो सिलिकॉन-आधारित या पॉलिमर समाधानों की प्रदर्शन सीमाओं को पार करता है।

    अल्ट्रा-लो इंसर्शन लॉस (<0.1 dB/cm): नैनोस्केल पॉलिशिंग (Ra<0.3 nm) और एंटी-रिफ्लेक्शन (AR) कोटिंग्स के माध्यम से प्राप्त किया गया, जो ऑप्टिकल संचार मॉड्यूल की ऊर्जा दक्षता को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाता है।

    2. बेहतर पीजोइलेक्ट्रिक और ध्वनिक गुण
    उच्च आवृत्ति SAW/BAW उपकरणों के लिए आदर्श: 3500-3800 मीटर/सेकंड के ध्वनिक वेगों के साथ, ये वेफर्स 6G mmWave (24-100 GHz) फिल्टर डिजाइनों का समर्थन करते हैं, जिनमें सम्मिलन हानि <1.0 dB होती है।

    उच्च इलेक्ट्रोमैकेनिकल युग्मन गुणांक (K²~0.25%): RF फ्रंट-एंड घटकों में बैंडविड्थ और सिग्नल चयनात्मकता को बढ़ाता है, जिससे वे 5G/6G बेस स्टेशनों और उपग्रह संचार के लिए उपयुक्त हो जाते हैं।

    3. ब्रॉडबैंड पारदर्शिता और गैर-रेखीय ऑप्टिकल प्रभाव
    अल्ट्रा-वाइड ऑप्टिकल ट्रांसमिशन विंडो (350-5000 एनएम): यूवी से लेकर मध्य-आईआर स्पेक्ट्रा को कवर करता है, जिससे निम्नलिखित अनुप्रयोगों को सक्षम किया जा सकता है:

    क्वांटम प्रकाशिकी: आवधिक ध्रुवित (PPLN) विन्यास उलझे हुए फोटॉन युग्म निर्माण में >90% दक्षता प्राप्त करते हैं।

    लेजर प्रणाली: ऑप्टिकल पैरामीट्रिक दोलन (ओपीओ) ट्यूनेबल तरंगदैर्ध्य आउटपुट (1-10 माइक्रोन) प्रदान करता है।

    असाधारण लेजर क्षति सीमा (>1 GW/cm²): उच्च शक्ति लेजर अनुप्रयोगों के लिए कठोर आवश्यकताओं को पूरा करता है।

    4. अत्यधिक पर्यावरणीय स्थिरता
    उच्च तापमान प्रतिरोध (क्यूरी बिंदु: 1140°C): -200°C से +500°C तक स्थिर प्रदर्शन बनाए रखता है, इसके लिए आदर्श:

    ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स (इंजन कम्पार्टमेंट सेंसर)

    अंतरिक्ष यान (गहरे अंतरिक्ष ऑप्टिकल घटक)

    विकिरण कठोरता (>1 Mrad TID): MIL-STD-883 मानकों के अनुरूप, परमाणु और रक्षा इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए उपयुक्त।

    5. अनुकूलन और एकीकरण लचीलापन
    क्रिस्टल अभिविन्यास और डोपिंग अनुकूलन:

    X/Y/Z-कट वेफर्स (±0.3° परिशुद्धता)

    उन्नत प्रकाशीय क्षति प्रतिरोध के लिए MgO डोपिंग (5 मोल%)

    विषम एकीकरण समर्थन:

    सिलिकॉन फोटोनिक्स (SiPh) के साथ हाइब्रिड एकीकरण के लिए पतली फिल्म LiNbO₃-ऑन-इंसुलेटर (LNOI) के साथ संगत

    सह-पैकेज्ड ऑप्टिक्स (सीपीओ) के लिए वेफर-स्तरीय बॉन्डिंग को सक्षम बनाता है

    6. स्केलेबल उत्पादन और लागत दक्षता
    6-इंच (150 मिमी) वेफर बड़े पैमाने पर उत्पादन: पारंपरिक 4-इंच प्रक्रियाओं की तुलना में इकाई लागत में 30% की कमी आती है।

    तीव्र वितरण: मानक उत्पाद 3 सप्ताह में भेजे जाते हैं; छोटे बैच के प्रोटोटाइप (न्यूनतम 5 वेफर्स) 10 दिनों में वितरित किए जाते हैं।

    XKH सेवाएँ

    1. सामग्री नवाचार प्रयोगशाला
    हमारे क्रिस्टल विकास विशेषज्ञ अनुप्रयोग-विशिष्ट LiNbO₃ वेफर्स फॉर्मूलेशन विकसित करने के लिए ग्राहकों के साथ सहयोग करते हैं, जिनमें शामिल हैं:

    कम ऑप्टिकल हानि वाले प्रकार (<0.05dB/cm)

    उच्च-शक्ति हैंडलिंग कॉन्फ़िगरेशन

    विकिरण-सहिष्णु रचनाएँ

    2. रैपिड प्रोटोटाइपिंग पाइपलाइन
    डिजाइन से लेकर डिलीवरी तक 10 व्यावसायिक दिनों में:

    कस्टम ओरिएंटेशन वेफर्स

    पैटर्न वाले इलेक्ट्रोड

    पूर्व-विशेषता वाले नमूने

    3. प्रदर्शन प्रमाणन
    प्रत्येक LiNbO₃ वेफर शिपमेंट में शामिल हैं:

    पूर्ण स्पेक्ट्रोस्कोपिक लक्षण वर्णन

    क्रिस्टलोग्राफिक अभिविन्यास सत्यापन

    सतह गुणवत्ता प्रमाणन

    4. आपूर्ति श्रृंखला आश्वासन

    महत्वपूर्ण अनुप्रयोगों के लिए समर्पित उत्पादन लाइनें

    आपातकालीन आदेशों के लिए बफर इन्वेंट्री

    ITAR-अनुपालक लॉजिस्टिक्स नेटवर्क

    लेज़र होलोग्राफिक जालसाजी-रोधी उपकरण 2
    लेज़र होलोग्राफिक जालसाजी-रोधी उपकरण 3
    लेज़र होलोग्राफिक जालसाजी-रोधी उपकरण 5

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