LiTaO3 लिथियम टैंटालेट सिल्लियां Fe/Mg डोपिंग के साथ औद्योगिक संवेदन के लिए अनुकूलित 4 इंच 6 इंच 8 इंच

संक्षिप्त वर्णन:

LiTaO3 सिल्लियां (लिथियम टैंटालेट सिल्लियां), तीसरी पीढ़ी के वाइड-बैंडगैप सेमीकंडक्टर और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स के लिए मुख्य सामग्री के रूप में, अपने उच्च क्यूरी तापमान (607) का लाभ उठाती हैं।°C), व्यापक पारदर्शिता रेंज (400–5,200 nm), उत्कृष्ट इलेक्ट्रोमैकेनिकल कपलिंग गुणांक (Kt² >15%), और कम डाइइलेक्ट्रिक लॉस (tanδ <2%) 5G संचार, क्वांटम कंप्यूटिंग और फोटोनिक एकीकरण में क्रांति लाने के लिए। भौतिक वाष्प परिवहन (PVT) और रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) जैसी उन्नत निर्माण तकनीकों के माध्यम से, हम 3–8-इंच विनिर्देशों में X/Y/Z-कट, 42°Y-कट और आवधिक रूप से ध्रुवित (PPLT)​इनगोट प्रदान करते हैं, जिसमें माइक्रोपाइप घनत्व <0.1 cm⁻² और अव्यवस्था घनत्व <500 cm⁻² होता है। हमारी सेवाओं में Fe/Mg डोपिंग, प्रोटॉन एक्सचेंज वेवगाइड और सिलिकॉन-आधारित विषम एकीकरण (POI) शामिल हैं, जो उच्च-प्रदर्शन ऑप्टिकल फ़िल्टर, क्वांटम प्रकाश स्रोत और अवरक्त डिटेक्टरों को संबोधित करते हैं। यह सामग्री लघुकरण, उच्च आवृत्ति संचालन और तापीय स्थिरता में सफलता दिलाती है, तथा घरेलू प्रतिस्थापन और तकनीकी उन्नति में तेजी लाती है।


  • :
  • विशेषताएँ

    तकनीकी मापदंड

    विनिर्देश

    पारंपरिक

    उच्चा परिशुद्धि

    सामग्री

    LiTaO3(LT)/ LiNbO3 वेफर्स

    LiTaO3(LT)/LiNbO3 वेफर्स

    अभिविन्यास

    एक्स-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°

    एक्स-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°

    समानांतर

    30″

    10''

    सीधा

    10'

    5'

    सतही गुणवत्ता

    40/20

    20/10

    तरंगाग्र विरूपण

    λ/4@632एनएम

    λ/8@632एनएम

    सतह समतलता

    λ/4@632एनएम

    λ/8@632एनएम

    स्पष्ट एपर्चर

    >90%

    >90%

    नाला

    <0.2×45°

    <0.2×45°

    मोटाई/व्यास सहनशीलता

    ±0.1 मिमी

    ±0.1 मिमी

    अधिकतम आयाम

    व्यास150×50मिमी

    व्यास150×50मिमी

    XKH सेवाएँ

    1. बड़े पैमाने पर पिंड निर्माण​​

    आकार और कटिंग: X/Y/Z-कट, 42°Y-कट, और कस्टम कोणीय कट (±0.01° सहिष्णुता) के साथ 3-8-इंच सिल्लियां। 

    डोपिंग नियंत्रण: फोटोरिफ्रेक्टिव प्रतिरोध और थर्मल स्थिरता को अनुकूलित करने के लिए Czochralski विधि (सांद्रता रेंज 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) के माध्यम से Fe/Mg सह-डोपिंग।

    2. उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकियां​​

    विषम एकीकरण: उच्च आवृत्ति SAW फिल्टर के लिए मोटाई नियंत्रण (300-600 एनएम) और 8.78 W/m·K तक तापीय चालकता के साथ सिलिकॉन आधारित LiTaO3 समग्र वेफर्स (POI)। 

    वेवगाइड निर्माण: प्रोटॉन एक्सचेंज (पीई) और रिवर्स प्रोटॉन एक्सचेंज (आरपीई) तकनीक, उच्च गति वाले इलेक्ट्रो-ऑप्टिक मॉड्यूलेटर (बैंडविड्थ > 40 गीगाहर्ट्ज) के लिए सबमाइक्रोन वेवगाइड (Δn > 0.7) प्राप्त करना। 

    3. गुणवत्ता प्रबंधन प्रणाली​​ 

    एंड-टू-एंड परीक्षण: रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी (पॉलीटाइप सत्यापन), एक्सआरडी (क्रिस्टलीयता), एएफएम (सतह आकारिकी), और ऑप्टिकल एकरूपता परीक्षण (Δn <5×10⁻⁵)। 

    4. वैश्विक आपूर्ति श्रृंखला समर्थन​​ 

    उत्पादन क्षमता: मासिक उत्पादन >5,000 सिल्लियां (8-इंच: 70%), 48 घंटे की आपातकालीन डिलीवरी का समर्थन। 

    लॉजिस्टिक्स नेटवर्क: तापमान नियंत्रित पैकेजिंग के साथ हवाई/समुद्री माल ढुलाई के माध्यम से यूरोप, उत्तरी अमेरिका और एशिया-प्रशांत क्षेत्र में कवरेज। 

    5. तकनीकी सह-विकास 

    संयुक्त अनुसंधान एवं विकास प्रयोगशालाएँ: फोटोनिक एकीकरण प्लेटफार्मों (जैसे, SiO2 कम-नुकसान परत संबंधन) पर सहयोग करें।

    सारांश

    LiTaO3 सिल्लियां ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और क्वांटम प्रौद्योगिकियों को नया आकार देने वाली रणनीतिक सामग्रियों के रूप में काम करती हैं। क्रिस्टल ग्रोथ (जैसे, PVT), दोष शमन और विषम एकीकरण (जैसे, POI) में नवाचारों के माध्यम से, हम 5G/6G संचार, क्वांटम कंप्यूटिंग और औद्योगिक IoT के लिए उच्च-विश्वसनीयता, लागत-प्रभावी समाधान प्रदान करते हैं। सिल्लियों में दोष कम करने और 8-इंच उत्पादन को बढ़ाने के लिए XKH की प्रतिबद्धता सुनिश्चित करती है कि ग्राहक वैश्विक आपूर्ति श्रृंखलाओं में अग्रणी हों, जिससे वाइड-बैंडगैप सेमीकंडक्टर पारिस्थितिकी तंत्र का अगला युग आगे बढ़े।

    LiTaO3 पिंड 3
    LiTaO3 पिंड 4

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