LiTaO3 वेफर 2इंच-8इंच 10x10x0.5 मिमी 1sp 2sp 5G/6G संचार के लिए​

संक्षिप्त वर्णन:

LiTaO3 वेफर (लिथियम टैंटलेट वेफर), तीसरी पीढ़ी के अर्धचालकों और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स में एक महत्वपूर्ण सामग्री, अपने उच्च क्यूरी तापमान (610 डिग्री सेल्सियस), व्यापक पारदर्शिता रेंज (0.4-5.0 माइक्रोन), बेहतर पीजोइलेक्ट्रिक गुणांक (d33 > 1,500 pC/N) और कम डाइइलेक्ट्रिक नुकसान (tanδ < 2%) का लाभ उठाकर 5G संचार, फोटोनिक एकीकरण और क्वांटम उपकरणों में क्रांति लाती है। भौतिक वाष्प परिवहन (PVT) और रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) जैसी उन्नत निर्माण तकनीकों का उपयोग करते हुए, XKH 2-8-इंच प्रारूपों में X/Y/Z-कट, ​​42°Y-कट और आवधिक रूप से ध्रुवित (PPLT) वेफ़र प्रदान करता है, जिसमें सतह खुरदरापन (Ra) <0.5 nm और माइक्रोपाइप घनत्व <0.1 cm⁻² होता है। हमारी सेवाओं में Fe डोपिंग, रासायनिक कमी और स्मार्ट-कट विषम एकीकरण शामिल हैं, जो उच्च-प्रदर्शन ऑप्टिकल फ़िल्टर, इन्फ्रारेड डिटेक्टर और क्वांटम प्रकाश स्रोतों को संबोधित करते हैं। यह सामग्री लघुकरण, उच्च-आवृत्ति संचालन और थर्मल स्थिरता में सफलताओं को आगे बढ़ाती है, जिससे महत्वपूर्ण प्रौद्योगिकियों में घरेलू प्रतिस्थापन में तेजी आती है।


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  • विशेषताएँ

    तकनीकी मापदंड

    नाम ऑप्टिकल-ग्रेड LiTaO3 ध्वनि तालिका स्तर LiTaO3
    AXIAL Z कट + / - 0.2 ° 36 ° Y कट / 42 ° Y कट / X कट

    (+ / - 0.2 डिग्री)

    व्यास 76.2मिमी + / - 0.3मिमी/

    100±0.2मिमी

    76.2मिमी + /-0.3मिमी

    100मिमी + /-0.3मिमी या 150±0.5मिमी

    डेटाम प्लेन 22मिमी + / - 2मिमी 22मिमी + /-2मिमी

    32मिमी + /-2मिमी

    मोटाई 500um + /-5मिमी

    1000um + /-5मिमी

    500um + /-20मिमी

    350um + /-20मिमी

    टीटीवी ≤ 10um ≤ 10um
    क्यूरी तापमान 605 °C + / - 0.7 °C (डीटीए विधि) 605 °C + / -3 °C(DTAविधि
    सतही गुणवत्ता दो तरफा पॉलिशिंग दो तरफा पॉलिशिंग
    चम्फर्ड किनारे किनारा गोलाई किनारा गोलाई

     

    मुख्य विशेषताएं

    1.इलेक्ट्रिकल और ऑप्टिकल प्रदर्शन​​
    · इलेक्ट्रो-ऑप्टिक गुणांक: r33 30 pm/V (X-कट) तक पहुंचता है, जो LiNbO3 से 1.5 गुना अधिक है, जिससे अल्ट्रा-वाइडबैंड इलेक्ट्रो-ऑप्टिक मॉड्यूलेशन (>40 GHz बैंडविड्थ) सक्षम होता है।
    · व्यापक वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया: संचरण रेंज 0.4-5.0 μm (8 मिमी मोटाई), पराबैंगनी अवशोषण सीमा 280 एनएम जितनी कम, यूवी लेजर और क्वांटम डॉट उपकरणों के लिए आदर्श।
    · कम पायरोइलेक्ट्रिक गुणांक: dP/dT = 3.5×10⁻⁴ C/(m²·K), जो उच्च तापमान वाले इन्फ्रारेड सेंसर में स्थिरता सुनिश्चित करता है।

    2. तापीय और यांत्रिक गुण​​
    · उच्च तापीय चालकता: 4.6 W/m·K (X-कट), क्वार्ट्ज की तुलना में चौगुनी, -200–500°C तापीय चक्रण को बनाए रखती है।
    · कम तापीय विस्तार गुणांक: CTE = 4.1×10⁻⁶/K (25–1000°C), तापीय तनाव को कम करने के लिए सिलिकॉन पैकेजिंग के साथ संगत।
    3. दोष नियंत्रण और प्रसंस्करण परिशुद्धता​​
    · माइक्रोपाइप घनत्व: <0.1 cm⁻² (8-इंच वेफर्स), विस्थापन घनत्व <500 cm⁻² (KOH नक़्काशी के माध्यम से सत्यापित)।
    · सतह की गुणवत्ता: सीएमपी-पॉलिश से Ra <0.5 एनएम, ईयूवी लिथोग्राफी-ग्रेड समतलता आवश्यकताओं को पूरा करना।

    प्रमुख अनुप्रयोग

    डोमेन​​

    ​​अनुप्रयोग परिदृश्य​​

    तकनीकी लाभ

    ऑप्टिकल संचार

    100G/400G DWDM लेजर, सिलिकॉन फोटोनिक्स हाइब्रिड मॉड्यूल

    LiTaO3 वेफर का व्यापक स्पेक्ट्रल संचरण और कम वेवगाइड हानि (α <0.1 dB/cm) C-बैंड विस्तार को सक्षम बनाता है।

    ​​5G/6G संचार​​

    SAW फ़िल्टर (1.8–3.5 GHz), BAW-SMR फ़िल्टर

    42°Y-कट वेफर्स Kt² >15% प्राप्त करते हैं, जिससे कम प्रविष्टि हानि (<1.5 dB) और उच्च रोल-ऑफ (>30 dB) प्राप्त होता है।

    क्वांटम टेक्नोलॉजीज

    एकल-फोटॉन डिटेक्टर, पैरामीट्रिक डाउन-कन्वर्ज़न स्रोत

    उच्च गैर रेखीय गुणांक (χ(2)=40 pm/V) और कम डार्क काउंट दर (<100 काउंट/सेकेंड) क्वांटम निष्ठा को बढ़ाते हैं।

    औद्योगिक संवेदन

    उच्च तापमान दबाव सेंसर, करंट ट्रांसफॉर्मर

    LiTaO3 वेफर की पीजोइलेक्ट्रिक प्रतिक्रिया (g33 >20 mV/m) और उच्च तापमान सहिष्णुता (>400°C) चरम वातावरण के अनुकूल है।

     

    XKH सेवाएँ

    1.कस्टम वेफर निर्माण​​

    · आकार और कटिंग: X/Y/Z-कट, 42°Y-कट, और कस्टम कोणीय कट (±0.01° सहिष्णुता) के साथ 2-8-इंच वेफर्स।

    · डोपिंग नियंत्रण: इलेक्ट्रो-ऑप्टिक गुणांक और थर्मल स्थिरता को अनुकूलित करने के लिए Czochralski विधि (सांद्रता रेंज 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) के माध्यम से Fe, Mg डोपिंग।

    2.उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकियां
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    · आवधिक पोलिंग (पीपीएलटी): एलटीओआई वेफर्स के लिए स्मार्ट-कट प्रौद्योगिकी, ±10 एनएम डोमेन अवधि परिशुद्धता और अर्ध-चरण-मिलान (क्यूपीएम) आवृत्ति रूपांतरण प्राप्त करना।

    · विषम एकीकरण: उच्च आवृत्ति SAW फिल्टर के लिए मोटाई नियंत्रण (300-600 एनएम) और 8.78 W/m·K तक तापीय चालकता के साथ Si-आधारित LiTaO3 समग्र वेफर्स (POI)।

    3.गुणवत्ता प्रबंधन प्रणाली
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    · एंड-टू-एंड परीक्षण: रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी (पॉलीटाइप सत्यापन), एक्सआरडी (क्रिस्टलीयता), एएफएम (सतह आकारिकी), और ऑप्टिकल एकरूपता परीक्षण (Δn <5×10⁻⁵)।

    4. वैश्विक आपूर्ति श्रृंखला समर्थन
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    · उत्पादन क्षमता: मासिक उत्पादन > 5,000 वेफर्स (8-इंच: 70%), 48 घंटे की आपातकालीन डिलीवरी के साथ।

    · लॉजिस्टिक्स नेटवर्क: तापमान नियंत्रित पैकेजिंग के साथ हवाई/समुद्री माल ढुलाई के माध्यम से यूरोप, उत्तरी अमेरिका और एशिया-प्रशांत क्षेत्र में कवरेज।

    लेजर होलोग्राफिक जालसाजी विरोधी उपकरण 2
    लेजर होलोग्राफिक जालसाजी विरोधी उपकरण 3
    लेजर होलोग्राफिक जालसाजी विरोधी उपकरण 5

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