वर्तमान में, हमारी कंपनी 8इंचN प्रकार के SiC वेफर्स के छोटे बैच की आपूर्ति जारी रख सकती है, यदि आपको नमूना की आवश्यकता है, तो कृपया बेझिझक मुझसे संपर्क करें।हमारे पास शिपिंग के लिए कुछ नमूना वेफर्स तैयार हैं।
सेमीकंडक्टर सामग्री के क्षेत्र में, कंपनी ने बड़े आकार के SiC क्रिस्टल के अनुसंधान और विकास में एक बड़ी सफलता हासिल की है।व्यास वृद्धि के कई दौरों के बाद अपने स्वयं के बीज क्रिस्टल का उपयोग करके, कंपनी ने 8-इंच एन-प्रकार SiC क्रिस्टल को सफलतापूर्वक विकसित किया है, जो विकास प्रक्रिया में असमान तापमान क्षेत्र, क्रिस्टल क्रैकिंग और गैस चरण कच्चे माल वितरण जैसी कठिन समस्याओं को हल करता है। 8-इंच एसआईसी क्रिस्टल, और बड़े आकार के एसआईसी क्रिस्टल और स्वायत्त और नियंत्रणीय प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी के विकास को तेज करता है।SiC सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट उद्योग में कंपनी की मुख्य प्रतिस्पर्धात्मकता को काफी हद तक बढ़ाएँ।साथ ही, कंपनी बड़े आकार के सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट तैयारी प्रयोगात्मक लाइन की प्रौद्योगिकी और प्रक्रिया के संचय को सक्रिय रूप से बढ़ावा देती है, अपस्ट्रीम और डाउनस्ट्रीम क्षेत्रों में तकनीकी आदान-प्रदान और औद्योगिक सहयोग को मजबूत करती है, और लगातार उत्पाद प्रदर्शन को पुनरावृत्त करने के लिए ग्राहकों के साथ सहयोग करती है, और संयुक्त रूप से सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री के औद्योगिक अनुप्रयोग की गति को बढ़ावा देता है।
| 8 इंच एन-टाइप सीआईसी डीएसपी स्पेक्स | |||||
| संख्या | वस्तु | इकाई | उत्पादन | अनुसंधान | डमी |
| 1. पैरामीटर्स | |||||
| 1.1 | बहुप्रकार | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | सतह अभिविन्यास | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. विद्युत पैरामीटर | |||||
| 2.1 | डोपेंट | -- | एन-प्रकार नाइट्रोजन | एन-प्रकार नाइट्रोजन | एन-प्रकार नाइट्रोजन |
| 2.2 | प्रतिरोधकता | ओम·सेमी | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. यांत्रिक पैरामीटर | |||||
| 3.1 | व्यास | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | मोटाई | माइक्रोन | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | पायदान अभिविन्यास | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | पायदान गहराई | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | एलटीवी | माइक्रोन | ≤5(10मिमी*10मिमी) | ≤5(10मिमी*10मिमी) | ≤10(10मिमी*10मिमी) |
| 3.6 | टीटीवी | माइक्रोन | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | झुकना | माइक्रोन | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | ताना | माइक्रोन | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | एएफएम | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. संरचना | |||||
| 4.1 | माइक्रोपाइप घनत्व | ईए/सेमी2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | धातु सामग्री | परमाणु/सेमी2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | टीएसडी | ईए/सेमी2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | बीपीडी | ईए/सेमी2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | टेड | ईए/सेमी2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. सकारात्मक गुणवत्ता | |||||
| 5.1 | सामने | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | सतह खत्म | -- | सी-फेस सीएमपी | सी-फेस सीएमपी | सी-फेस सीएमपी |
| 5.3 | कण | ईए/वेफर | ≤100(आकार≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | खरोंचना | ईए/वेफर | ≤5,कुल लंबाई≤200मिमी | NA | NA |
| 5.5 | किनारा चिप्स/इंडेंट्स/दरारें/दाग/संदूषण | -- | कोई नहीं | कोई नहीं | NA |
| 5.6 | बहुरूपी क्षेत्र | -- | कोई नहीं | क्षेत्रफल ≤10% | क्षेत्रफल ≤30% |
| 5.7 | सामने का अंकन | -- | कोई नहीं | कोई नहीं | कोई नहीं |
| 6. पीछे की गुणवत्ता | |||||
| 6.1 | पिछला समापन | -- | सी-फेस एमपी | सी-फेस एमपी | सी-फेस एमपी |
| 6.2 | खरोंचना | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | पीछे दोष किनारा चिप्स/इंडेंट्स | -- | कोई नहीं | कोई नहीं | NA |
| 6.4 | पीठ का खुरदरापन | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | पीछे का अंकन | -- | निशान | निशान | निशान |
| 7. किनारा | |||||
| 7.1 | किनारा | -- | नाला | नाला | नाला |
| 8. पैकेज | |||||
| 8.1 | पैकेजिंग | -- | वैक्यूम के साथ एपी-रेडी पैकेजिंग | वैक्यूम के साथ एपी-रेडी पैकेजिंग | वैक्यूम के साथ एपी-रेडी पैकेजिंग |
| 8.2 | पैकेजिंग | -- | बहु वेफर कैसेट पैकेजिंग | बहु वेफर कैसेट पैकेजिंग | बहु वेफर कैसेट पैकेजिंग |
पोस्ट करने का समय: अप्रैल-18-2023