उत्पादों
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सेमीकंडक्टर क्षेत्र के लिए FSS पर AlN, 2 इंच 4 इंच NPSS/FSS AlN टेम्पलेट
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MEMS के लिए नीलम वेफर्स पर एपिटैक्सियल विधि से उगाया गया गैलियम नाइट्राइड (GaN) 4 इंच और 6 इंच आकार का होता है।
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सिलिकॉन वेफर पर गैलियम नाइट्राइड, 4 इंच और 6 इंच आकार में उपलब्ध, अनुकूलित Si सबस्ट्रेट ओरिएंटेशन, प्रतिरोधकता और N-टाइप/P-टाइप विकल्प उपलब्ध हैं।
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अनुकूलित GaN-ऑन-SiC एपिटैक्सियल वेफर्स (100 मिमी, 150 मिमी) – कई SiC सबस्ट्रेट विकल्प (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
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GaN-ऑन-डायमंड वेफर्स, 4 इंच और 6 इंच, कुल एपि मोटाई (माइक्रोन में) 0.6 ~ 2.5 या उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित।
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12 इंच वेफर के लिए 25 स्लॉट वाला FOSB वेफर कैरियर बॉक्स, स्वचालित संचालन के लिए सटीक स्पेसिंग, अति स्वच्छ सामग्री।
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12 इंच (300 मिमी) का फ्रंट ओपनिंग शिपिंग बॉक्स, FOSB वेफर कैरियर बॉक्स, 25 पीस की क्षमता वाला, वेफर हैंडलिंग और शिपिंग के लिए स्वचालित संचालन।
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ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और इन्फ्रारेड इमेजिंग के लिए परिशुद्ध मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन (Si) लेंस - अनुकूलित आकार और कोटिंग्स
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उच्च शुद्धता वाले एकल क्रिस्टल सिलिकॉन (Si) लेंसों का अनुकूलन - इन्फ्रारेड और THz अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित आकार और कोटिंग्स (1.2-7µm, 8-12µm)
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अनुकूलित नीलमणि स्टेप-टाइप ऑप्टिकल विंडो, Al2O3 सिंगल क्रिस्टल, उच्च शुद्धता, व्यास 45 मिमी, मोटाई 10 मिमी, लेजर कट और पॉलिश किया हुआ
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उच्च प्रदर्शन वाला नीलमणि स्टेप विंडो, Al2O3 सिंगल क्रिस्टल, पारदर्शी कोटिंग, सटीक ऑप्टिकल अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित आकार और साइज़।
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वेफर ट्रांसफर सिस्टम के लिए उच्च-प्रदर्शन नीलमणि लिफ्ट पिन, शुद्ध Al2O3 सिंगल क्रिस्टल – अनुकूलित आकार, सटीक अनुप्रयोगों के लिए उच्च स्थायित्व