अर्ध-अरोधक SiC कम्पोजिट सबस्ट्रेट्स, व्यास 2 इंच, 4 इंच, 6 इंच, 8 इंच, HPSI
| सामान | विनिर्देश | सामान | विनिर्देश |
| व्यास | 150±0.2 मिमी | सामने (Si-सतह) खुरदरापन | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
| पॉलीटाइप | 4 | किनारे पर खरोंच, टूटन, दरार (दृश्य निरीक्षण) | कोई नहीं |
| प्रतिरोधकता | ≥1E8ohm·cm | टीटीवी | ≤5μm |
| स्थानांतरण परत की मोटाई | ≥0.4μm | ताना | ≤35μm |
| खालीपन | ≤5ea/वेफर (2mm>D>0.5mm) | मोटाई | 500±25μm |
अर्ध-अरोधक SiC मिश्रित सब्सट्रेट के लाभों में निम्नलिखित शामिल हैं:
उच्च प्रतिरोधकता: अर्ध-अचालक SiC सामग्रियों में उच्च प्रतिरोधकता होती है, जिससे वे कुछ हद तक धारा प्रवाह को अवरुद्ध करने में सक्षम होते हैं और विशिष्ट प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए उपयुक्त होते हैं।
उच्च तापमान पर प्रदर्शन: SiC सामग्री उच्च तापमान वाले वातावरण में काम करने में सक्षम होती है, जिससे वे उच्च शक्ति और उच्च आवृत्ति वाले इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बन जाती हैं।
उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज: SiC सामग्री में उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज होता है और यह विद्युत ब्रेकडाउन के बिना उच्च विद्युत क्षेत्रों का सामना करने में सक्षम होती है।
रासायनिक और पर्यावरणीय प्रतिरोध: SiC रासायनिक संक्षारण के प्रति प्रतिरोधी है और कठिन अनुप्रयोगों के लिए कठोर पर्यावरणीय परिस्थितियों का सामना कर सकता है।
कम बिजली की हानि: पारंपरिक सिलिकॉन-आधारित सामग्रियों की तुलना में SiC सब्सट्रेट इलेक्ट्रॉनिक्स में अधिक कुशल बिजली रूपांतरण और कम बिजली की हानि की अनुमति देते हैं।
कुल मिलाकर, अर्ध-अचालक SiC मिश्रित सब्सट्रेट उच्च-प्रदर्शन इलेक्ट्रॉनिक्स के विकास में महत्वपूर्ण लाभ प्रदान करते हैं, विशेष रूप से उन अनुप्रयोगों में जिनमें उच्च तापमान संचालन, उच्च शक्ति घनत्व और कुशल बिजली रूपांतरण की आवश्यकता होती है।
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