Sic ऑप्टिकल लेंस 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI अनुकूलित आकार
मुख्य विशेषताएं
रासायनिक संरचना | Al2O3 |
कठोरता | 9मोह्स |
प्रकाशिक प्रकृति | अक्षीय |
अपवर्तक सूचकांक | 1.762-1.770 |
birefringence | 0.008-0.010 |
फैलाव | कम, 0.018 |
आभा | कांच का |
प्लेओक्रोइस्म | मध्यम से मजबूत |
व्यास | 0.4 मिमी-30 मिमी |
व्यास सहिष्णुता | 0.004मिमी-0.05मिमी |
लंबाई | 2 मिमी-150 मिमी |
लंबाई सहिष्णुता | 0.03 मिमी-0.25 मिमी |
सतही गुणवत्ता | 40/20 |
सतह की गोलाई | आरजेड0.05 |
कस्टम आकार | दोनों सिरे सपाट, एक सिरा रेडियस, दोनों सिरा रेडियस, सैडल पिन और विशेष आकार |
प्रमुख विशेषताऐं
1. उच्च अपवर्तनांक और विस्तृत संचरण विंडो: SiC ऑप्टिकल लेंस अपने परिचालन स्पेक्ट्रम में लगभग 2.6-2.7 के अपवर्तनांक के साथ असाधारण ऑप्टिकल प्रदर्शन प्रदर्शित करते हैं। यह विस्तृत संचरण विंडो (600-1850 नैनोमीटर) दृश्य और निकट-अवरक्त दोनों क्षेत्रों को कवर करती है, जो उन्हें बहु-स्पेक्ट्रल इमेजिंग सिस्टम और ब्रॉडबैंड ऑप्टिकल अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से मूल्यवान बनाती है। इन श्रेणियों में सामग्री का कम अवशोषण गुणांक उच्च-शक्ति वाले लेज़र अनुप्रयोगों में भी न्यूनतम सिग्नल क्षीणन सुनिश्चित करता है।
2. असाधारण अरैखिक प्रकाशीय गुण: सिलिकॉन कार्बाइड की अनूठी क्रिस्टलीय संरचना इसे उल्लेखनीय अरैखिक प्रकाशीय गुणांक (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2) प्रदान करती है, जिससे कुशल आवृत्ति रूपांतरण प्रक्रियाएँ संभव होती हैं। इन गुणों का उपयोग अत्याधुनिक अनुप्रयोगों जैसे ऑप्टिकल पैरामीट्रिक ऑसिलेटर, अल्ट्राफास्ट लेज़र सिस्टम और ऑल-ऑप्टिकल सिग्नल प्रोसेसिंग उपकरणों में सक्रिय रूप से किया जा रहा है। इस पदार्थ की उच्च क्षति सीमा (>5 GW/cm2) उच्च-तीव्रता वाले अनुप्रयोगों के लिए इसकी उपयुक्तता को और बढ़ाती है।
3. यांत्रिक एवं तापीय स्थिरता: 400 GPa के लगभग प्रत्यास्थ मापांक और 300 W/m·K से अधिक तापीय चालकता के साथ, SiC प्रकाशीय घटक यांत्रिक तनाव और तापीय चक्रण के अंतर्गत असाधारण स्थिरता बनाए रखते हैं। अति-निम्न तापीय प्रसार गुणांक (4.0×10-6/K) तापमान परिवर्तन के साथ न्यूनतम फ़ोकल विस्थापन सुनिश्चित करता है, जो अंतरिक्ष अनुप्रयोगों या औद्योगिक लेज़र प्रसंस्करण उपकरणों जैसे परिवर्तनशील तापीय वातावरण में संचालित होने वाले सटीक प्रकाशीय प्रणालियों के लिए एक महत्वपूर्ण लाभ है।
4. क्वांटम गुण: 4H-SiC और 6H-SiC पॉलीटाइप्स में सिलिकॉन वैकेंसी (VSi) और डिवैकेंसी (VSiVC) रंग केंद्र, कमरे के तापमान पर लंबे सुसंगति समय के साथ प्रकाशीय रूप से पता योग्य स्पिन अवस्थाएँ प्रदर्शित करते हैं। इन क्वांटम उत्सर्जकों को स्केलेबल क्वांटम नेटवर्क में एकीकृत किया जा रहा है और ये फोटोनिक क्वांटम कंप्यूटिंग आर्किटेक्चर में कमरे के तापमान पर क्वांटम सेंसर और क्वांटम मेमोरी डिवाइस विकसित करने के लिए विशेष रूप से आशाजनक हैं।
5. CMOS अनुकूलता: मानक अर्धचालक निर्माण प्रक्रियाओं के साथ SiC की अनुकूलता, सिलिकॉन फोटोनिक्स प्लेटफ़ॉर्म के साथ प्रत्यक्ष मोनोलिथिक एकीकरण को सक्षम बनाती है। यह SiC के ऑप्टिकल लाभों को सिलिकॉन की इलेक्ट्रॉनिक कार्यक्षमता के साथ संयोजित करते हुए हाइब्रिड फोटोनिक-इलेक्ट्रॉनिक सिस्टम के निर्माण की अनुमति देता है, जिससे ऑप्टिकल कंप्यूटिंग और सेंसिंग अनुप्रयोगों में सिस्टम-ऑन-चिप डिज़ाइनों के लिए नई संभावनाएँ खुलती हैं।
प्राथमिक अनुप्रयोग
1. फोटोनिक इंटीग्रेटेड सर्किट (PIC): अगली पीढ़ी के PIC में, SiC ऑप्टिकल लेंस अभूतपूर्व एकीकरण घनत्व और प्रदर्शन प्रदान करते हैं। ये डेटा केंद्रों में टेराबिट-स्केल ऑप्टिकल इंटरकनेक्ट के लिए विशेष रूप से उपयोगी हैं, जहाँ उच्च अपवर्तनांक और कम हानि का इनका संयोजन सिग्नल में महत्वपूर्ण गिरावट के बिना तंग बेंडिंग रेडी को सक्षम बनाता है। हाल की प्रगति ने कृत्रिम बुद्धिमत्ता अनुप्रयोगों के लिए न्यूरोमॉर्फिक फोटोनिक सर्किट में इनके उपयोग को प्रदर्शित किया है, जहाँ अरैखिक ऑप्टिकल गुण सर्व-ऑप्टिकल न्यूरल नेटवर्क कार्यान्वयन को सक्षम बनाते हैं।
2. क्वांटम सूचना एवं कंप्यूटिंग: रंग केंद्र अनुप्रयोगों के अलावा, SiC लेंसों का उपयोग क्वांटम संचार प्रणालियों में ध्रुवीकरण अवस्थाओं को बनाए रखने की उनकी क्षमता और एकल-फ़ोटॉन स्रोतों के साथ उनकी अनुकूलता के कारण किया जा रहा है। इस पदार्थ की उच्च द्वितीय-क्रम अरैखिकता का उपयोग क्वांटम आवृत्ति रूपांतरण इंटरफेस के लिए किया जा रहा है, जो विभिन्न तरंगदैर्घ्यों पर संचालित विभिन्न क्वांटम प्रणालियों को जोड़ने के लिए आवश्यक है।
3. एयरोस्पेस और रक्षा: SiC की विकिरण कठोरता (1 MGy से अधिक मात्रा सहन करने की क्षमता) इसे अंतरिक्ष-आधारित प्रकाशिक प्रणालियों के लिए अपरिहार्य बनाती है। हाल ही में इसके उपयोग में उपग्रह नेविगेशन के लिए स्टार ट्रैकर और अंतर-उपग्रह लिंक के लिए प्रकाशिक संचार टर्मिनल शामिल हैं। रक्षा अनुप्रयोगों में, SiC लेंस निर्देशित ऊर्जा अनुप्रयोगों के लिए कॉम्पैक्ट, उच्च-शक्ति लेज़र प्रणालियों और बेहतर रेंज रिज़ॉल्यूशन वाली उन्नत LiDAR प्रणालियों की नई पीढ़ियों को सक्षम बना रहे हैं।
4. यूवी ऑप्टिकल सिस्टम: यूवी स्पेक्ट्रम (विशेषकर 300 नैनोमीटर से नीचे) में SiC का प्रदर्शन और सौरीकरण प्रभावों के प्रति इसका प्रतिरोध इसे यूवी लिथोग्राफी सिस्टम, ओज़ोन निगरानी उपकरणों और खगोल भौतिकी अवलोकन उपकरणों के लिए पसंदीदा सामग्री बनाता है। इस सामग्री की उच्च तापीय चालकता विशेष रूप से उच्च-शक्ति यूवी अनुप्रयोगों के लिए फायदेमंद है जहाँ थर्मल लेंसिंग प्रभाव पारंपरिक प्रकाशिकी को ख़राब कर सकते हैं।
5. एकीकृत फोटोनिक उपकरण: पारंपरिक वेवगाइड अनुप्रयोगों के अलावा, SiC एकीकृत फोटोनिक उपकरणों के नए प्रकारों को सक्षम बना रहा है, जिनमें मैग्नेटो-ऑप्टिक प्रभावों पर आधारित ऑप्टिकल आइसोलेटर, आवृत्ति कॉम्ब जनरेशन के लिए अल्ट्रा-हाई-क्यू माइक्रोरेज़ोनेटर, और 100 गीगाहर्ट्ज़ से अधिक बैंडविड्थ वाले इलेक्ट्रो-ऑप्टिक मॉड्यूलेटर शामिल हैं। ये प्रगति ऑप्टिकल सिग्नल प्रोसेसिंग और माइक्रोवेव फोटोनिक्स प्रणालियों में नवाचारों को बढ़ावा दे रही है।
XKH की सेवा
XKH उत्पादों का व्यापक रूप से स्पेक्ट्रोस्कोपी विश्लेषण, लेज़र प्रणालियों, सूक्ष्मदर्शी और खगोल विज्ञान जैसे उच्च-तकनीकी क्षेत्रों में उपयोग किया जाता है, जिससे ऑप्टिकल प्रणालियों के प्रदर्शन और विश्वसनीयता में प्रभावी वृद्धि होती है। इसके अतिरिक्त, XKH व्यापक डिज़ाइन सहायता, इंजीनियरिंग सेवाएँ और त्वरित प्रोटोटाइपिंग प्रदान करता है ताकि ग्राहक अपने उत्पादों का शीघ्र सत्यापन और बड़े पैमाने पर उत्पादन कर सकें।
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