सिक
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सिलिकॉन कार्बाइड 4H-SiC सेमी-इंसुलेटिंग इनगॉट (डमी ग्रेड) में 6
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SiC पिंड 4H प्रकार, व्यास 4 इंच x 6 इंच, मोटाई 5-10 मिमी, अनुसंधान/नकली ग्रेड
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सिलिकॉन कार्बाइड वेफर 4H-N प्रकार, उच्च कठोरता, संक्षारण प्रतिरोध, उत्कृष्ट श्रेणी की पॉलिशिंग।
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2 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर, 6H-N प्रकार, प्राइम ग्रेड, रिसर्च ग्रेड, डमी ग्रेड, 330μm मोटाई, 430μm मोटाई
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2 इंच सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट, 6H-N, दोनों तरफ पॉलिश किया हुआ, व्यास 50.8 मिमी, उत्पादन ग्रेड, अनुसंधान ग्रेड
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एन-टाइप SiC कंपोजिट सबस्ट्रेट्स, व्यास 6 इंच, उच्च गुणवत्ता वाले मोनोक्रिस्टलाइन और निम्न गुणवत्ता वाले सबस्ट्रेट।
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अर्ध-अरोधक SiC कम्पोजिट सबस्ट्रेट्स, व्यास 2 इंच, 4 इंच, 6 इंच, 8 इंच, HPSI
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Si कंपोजिट सबस्ट्रेट्स पर N-टाइप SiC, व्यास 6 इंच
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SiC सबस्ट्रेट, व्यास 200 मिमी, 4H-N और HPSI सिलिकॉन कार्बाइड
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3 इंच SiC सबस्ट्रेट उत्पादन व्यास 76.2 मिमी 4H-N
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SiC सबस्ट्रेट, P और D ग्रेड, व्यास 50 मिमी, 4H-N, 2 इंच
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SiC पिंड 4H-N प्रकार डमी ग्रेड 2 इंच, 3 इंच, 4 इंच, 6 इंच मोटाई: >10 मिमी