टीजीवी ग्लास सबस्ट्रेट्स 12 इंच वेफर ग्लास पंचिंग

संक्षिप्त वर्णन:

काँच के सबस्ट्रेट्स की सतह प्लास्टिक सबस्ट्रेट्स की तुलना में ज़्यादा चिकनी होती है, और उसी क्षेत्र में कार्बनिक पदार्थों की तुलना में विया की संख्या बहुत ज़्यादा होती है। ऐसा कहा जाता है कि काँच के कोर में छेदों के बीच की दूरी 100 माइक्रोन से भी कम हो सकती है, जिससे वेफ़र्स के बीच इंटरकनेक्ट घनत्व सीधे 10 गुना बढ़ जाता है। बढ़ा हुआ इंटरकनेक्ट घनत्व ज़्यादा संख्या में ट्रांजिस्टर को समायोजित कर सकता है, जिससे अधिक जटिल डिज़ाइन और जगह का अधिक कुशल उपयोग संभव हो पाता है।


विशेषताएँ

पी 3

ग्लास सब्सट्रेट थर्मल गुणों, भौतिक स्थिरता के मामले में बेहतर प्रदर्शन करते हैं, और अधिक गर्मी प्रतिरोधी होते हैं और उच्च तापमान के कारण विरूपण या विरूपण की समस्याओं से कम प्रभावित होते हैं;

इसके अलावा, ग्लास कोर के अनूठे विद्युत गुण कम परावैद्युत हानियों की अनुमति देते हैं, जिससे स्पष्ट सिग्नल और शक्ति संचरण संभव होता है। परिणामस्वरूप, सिग्नल संचरण के दौरान होने वाली शक्ति हानि कम होती है और चिप की समग्र दक्षता स्वाभाविक रूप से बढ़ जाती है। ग्लास कोर सब्सट्रेट की मोटाई ABF प्लास्टिक की तुलना में लगभग आधी कम की जा सकती है, और पतला होने से सिग्नल संचरण की गति और शक्ति दक्षता में सुधार होता है।

टीजीवी की छेद बनाने की तकनीक:

लेजर प्रेरित नक़्क़ाशी विधि का उपयोग स्पंदित लेजर के माध्यम से निरंतर विकृतीकरण क्षेत्र प्रेरित करने के लिए किया जाता है, और फिर लेजर उपचारित कांच को नक़्क़ाशी के लिए हाइड्रोफ्लोरिक एसिड के घोल में डाला जाता है। हाइड्रोफ्लोरिक एसिड में विकृतीकरण क्षेत्र वाले कांच की नक़्क़ाशी दर, असंतृप्त कांच की तुलना में, छेद बनाने में तेज़ होती है।

टीजीवी भरण:

सबसे पहले, टीजीवी ब्लाइंड होल बनाए जाते हैं। दूसरे, भौतिक वाष्प निक्षेपण (पीवीडी) द्वारा बीज परत को टीजीवी ब्लाइंड होल के अंदर जमा किया जाता है। तीसरे, नीचे से ऊपर की ओर इलेक्ट्रोप्लेटिंग द्वारा टीजीवी की निर्बाध भराई प्राप्त की जाती है; अंत में, अस्थायी बंधन, बैक ग्राइंडिंग, रासायनिक यांत्रिक पॉलिशिंग (सीएमपी) तांबे के संपर्क, बंधन-विच्छेदन के माध्यम से, एक टीजीवी धातु-भरी स्थानांतरण प्लेट बनाई जाती है।

विस्तृत आरेख

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