नीलमणि एपि-लेयर वेफर गैलियम नाइट्राइड एपिटैक्सियल वेफर पर 100 मिमी 4 इंच GaN
GaN ब्लू एलईडी क्वांटम वेल संरचना की विकास प्रक्रिया।विस्तृत प्रक्रिया प्रवाह इस प्रकार है
(1) उच्च तापमान बेकिंग, नीलमणि सब्सट्रेट को पहले हाइड्रोजन वातावरण में 1050 ℃ तक गर्म किया जाता है, इसका उद्देश्य सब्सट्रेट सतह को साफ करना है;
(2) जब सब्सट्रेट का तापमान 510 ℃ तक गिर जाता है, तो 30 एनएम की मोटाई के साथ एक कम तापमान वाली GaN/AlN बफर परत नीलमणि सब्सट्रेट की सतह पर जमा हो जाती है;
(3) तापमान 10 ℃ तक बढ़ जाता है, प्रतिक्रिया गैस अमोनिया, ट्राइमेथिलगैलियम और सिलेन को इंजेक्ट किया जाता है, क्रमशः संबंधित प्रवाह दर को नियंत्रित किया जाता है, और 4um मोटाई का सिलिकॉन-डोप्ड एन-प्रकार GaN उगाया जाता है;
(4) ट्राइमेथाइल एल्यूमीनियम और ट्राइमेथाइल गैलियम की प्रतिक्रिया गैस का उपयोग 0.15um की मोटाई के साथ सिलिकॉन-डॉप्ड एन-टाइप ए⒑ महाद्वीपों को तैयार करने के लिए किया गया था;
(5) 50nm Zn-doped InGaN को क्रमशः 8O0℃ के तापमान पर ट्राइमिथाइलगैलियम, ट्राइमिथाइलिंडियम, डायथाइलजिंक और अमोनिया को इंजेक्ट करके और विभिन्न प्रवाह दरों को नियंत्रित करके तैयार किया गया था;
(6) तापमान को 1020 ℃ तक बढ़ा दिया गया था, ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम, ट्राइमिथाइलगैलियम और बीआईएस (साइक्लोपेंटैडिएनिल) मैग्नीशियम को 0.15um Mg डोप्ड P-टाइप AlGaN और 0.5um Mg डोप्ड P-टाइप G रक्त ग्लूकोज तैयार करने के लिए इंजेक्ट किया गया था;
(7) उच्च गुणवत्ता वाली पी-टाइप GaN सिबुयान फिल्म 700℃ पर नाइट्रोजन वातावरण में एनीलिंग करके प्राप्त की गई थी;
(8) एन-टाइप जी स्टैसिस सतह को प्रकट करने के लिए पी-टाइप जी स्टैसिस सतह पर नक़्क़ाशी करना;
(9) p-GaNI सतह पर Ni/Au संपर्क प्लेटों का वाष्पीकरण, इलेक्ट्रोड बनाने के लिए ll-GaN सतह पर △/Al संपर्क प्लेटों का वाष्पीकरण।
विशेष विवरण
| वस्तु | GaN-TCU-C100 | GaN-TCN-C100 |
| DIMENSIONS | ई 100 मिमी ± 0.1 मिमी | |
| मोटाई | 4.5±0.5 um अनुकूलित किया जा सकता है | |
| अभिविन्यास | सी-प्लेन(0001) ±0.5° | |
| चालन प्रकार | एन-प्रकार (अनडोप्ड) | एन-प्रकार (सी-डॉप्ड) |
| प्रतिरोधकता(300K) | <0.5 क्यू・सेमी | <0.05 Q・सेमी |
| वाहक एकाग्रता | <5x1017सेमी-3 | > 1x1018सेमी-3 |
| गतिशीलता | ~300 सेमी2/बनाम | ~ 200 सेमी2/बनाम |
| अव्यवस्था घनत्व | 5x10 से कम8सेमी-2(एक्सआरडी के एफडब्ल्यूएचएम द्वारा गणना) | |
| सब्सट्रेट संरचना | नीलम पर GaN (मानक: SSP विकल्प: DSP) | |
| प्रयोग करने योग्य सतह क्षेत्र | > 90% | |
| पैकेट | नाइट्रोजन वातावरण के तहत, 25 पीसी या एकल वेफर कंटेनर के कैसेट में, कक्षा 100 के स्वच्छ कमरे के वातावरण में पैक किया गया। | |
विस्तृत आरेख
