4 इंच SiC वेफर्स 6H सेमी-इंसुलेटिंग SiC सबस्ट्रेट्स प्राइम, रिसर्च और डमी ग्रेड
उत्पाद विनिर्देश
| श्रेणी | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (जेड ग्रेड) | मानक उत्पादन ग्रेड(पी ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) | ||||||||
| व्यास | 99.5 मिमी~100.0 मिमी | ||||||||||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500μm±25μm | |||||||||
| वेफर ओरिएंटेशन |
अक्ष से बाहर: 4.0° की ओर <1120 > ±0.5° 4H-N के लिए, अक्ष पर: <0001>±0.5° 4H-SI के लिए | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1 सेमी-2 | ≤5 सेमी-2 | ≤15 सेमी-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·सेमी | ≥1E5 Ω·सेमी | |||||||||
| प्राथमिक फ्लैट ओरिएंटेशन | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| प्राथमिक समतल लंबाई | 32.5 मिमी±2.0 मिमी | ||||||||||
| द्वितीयक समतल लंबाई | 18.0 मिमी±2.0 मिमी | ||||||||||
| माध्यमिक फ्लैट ओरिएंटेशन | सिलिकॉन फेस अप: 90° CW.प्राइम फ़्लैट से ±5.0° | ||||||||||
| किनारा बहिष्करण | 3 मिमी | ||||||||||
| एलटीवी/टीटीवी/धनुष/ताना | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||||||||
| बेअदबी | सी चेहरा | पोलिश | Ra≤1 एनएम | ||||||||
| सी चेहरा | सीएमपी | Ra≤0.2 एनएम | Ra≤0.5 एनएम | ||||||||
| उच्च तीव्रता वाले प्रकाश से किनारों में दरारें | कोई नहीं | संचयी लंबाई ≤ 10 मिमी, एकल लंबाई≤2 मिमी | |||||||||
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा हेक्स प्लेटें | संचयी क्षेत्रफल ≤0.05% | संचयी क्षेत्र ≤0.1% | |||||||||
| उच्च तीव्रता वाले प्रकाश द्वारा पॉलीटाइप क्षेत्र | कोई नहीं | संचयी क्षेत्रफल≤3% | |||||||||
| दृश्य कार्बन समावेशन | संचयी क्षेत्रफल ≤0.05% | संचयी क्षेत्र ≤3% | |||||||||
| उच्च तीव्रता वाले प्रकाश से सिलिकॉन की सतह पर खरोंचें | कोई नहीं | संचयी लंबाई≤1＊वेफर व्यास | |||||||||
| एज चिप्स हाई इंटेंसिटी लाइट द्वारा | किसी को भी ≥0.2 मिमी चौड़ाई और गहराई की अनुमति नहीं है | 5 की अनुमति है, ≤1 मिमी प्रत्येक | |||||||||
| उच्च तीव्रता द्वारा सिलिकॉन सतह संदूषण | कोई नहीं | ||||||||||
| पैकेजिंग | मल्टी-वेफर कैसेट या सिंगल वेफर कंटेनर | ||||||||||
विस्तृत आरेख
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