4H-N 4 इंच SiC सब्सट्रेट वेफर सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादन डमी रिसर्च ग्रेड

4 इंच सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट वेफर व्यास 4 इंच (लगभग 101.6 मिमी), सतह खत्म रा <0.5 एनएम तक, मोटाई 600±25 माइक्रोन।वेफर की चालकता एन प्रकार या पी प्रकार है और इसे ग्राहक की आवश्यकताओं के अनुसार अनुकूलित किया जा सकता है।इसके अलावा, चिप में उत्कृष्ट यांत्रिक स्थिरता भी है, यह एक निश्चित मात्रा में दबाव और कंपन का सामना कर सकती है।

इंच सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट वेफर एक उच्च प्रदर्शन वाली सामग्री है जिसका व्यापक रूप से सेमीकंडक्टर, अनुसंधान और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स क्षेत्रों में उपयोग किया जाता है।इसमें उत्कृष्ट तापीय चालकता, यांत्रिक स्थिरता और उच्च तापमान प्रतिरोध है, जो उच्च शक्ति इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की तैयारी और नई सामग्रियों के अनुसंधान के लिए उपयुक्त है।हम ग्राहकों की विभिन्न आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए विभिन्न प्रकार की विशिष्टताओं और अनुकूलन विकल्पों की पेशकश करते हैं।सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स की उत्पाद जानकारी के बारे में अधिक जानने के लिए कृपया हमारी स्वतंत्र साइट पर ध्यान दें।

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