4H-N 8 इंच SiC सब्सट्रेट वेफर सिलिकॉन कार्बाइड डमी अनुसंधान ग्रेड 500um मोटाई

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वेफ़र्स और सबस्ट्रेट्स चुनते समय, कई कारकों पर विचार करना होता है। यहाँ कुछ महत्वपूर्ण मानदंड दिए गए हैं:

सामग्री का प्रकार: अपने अनुप्रयोग के लिए उपयुक्त SiC सामग्री का प्रकार निर्धारित करें, जैसे कि 4H-SiC या 6H-SiC। सबसे अधिक इस्तेमाल की जाने वाली क्रिस्टल संरचना 4H-SiC है।

डोपिंग प्रकार: तय करें कि आपको डोप्ड या अनडोप्ड SiC सब्सट्रेट की आवश्यकता है। आपकी विशिष्ट आवश्यकताओं के आधार पर सामान्य डोपिंग प्रकार N-प्रकार (n-doped) या P-प्रकार (p-doped) हैं।

क्रिस्टल गुणवत्ता: SiC वेफ़र या सब्सट्रेट की क्रिस्टल गुणवत्ता का आकलन करें। वांछित गुणवत्ता दोषों की संख्या, क्रिस्टलोग्राफ़िक अभिविन्यास और सतह खुरदरापन जैसे मापदंडों द्वारा निर्धारित की जाती है।

वेफर व्यास: अपने आवेदन के आधार पर उपयुक्त वेफर आकार चुनें। सामान्य आकारों में 2 इंच, 3 इंच, 4 इंच और 6 इंच शामिल हैं। व्यास जितना बड़ा होगा, आप प्रति वेफर उतनी ही अधिक उपज प्राप्त कर सकते हैं।

मोटाई: SiC वेफ़र या सब्सट्रेट की वांछित मोटाई पर विचार करें। सामान्य मोटाई विकल्प कुछ माइक्रोमीटर से लेकर कई सौ माइक्रोमीटर तक होते हैं।

अभिविन्यास: क्रिस्टलोग्राफिक अभिविन्यास निर्धारित करें जो आपके आवेदन की आवश्यकताओं के साथ संरेखित हो। सामान्य अभिविन्यासों में 4H-SiC के लिए (0001) और 6H-SiC के लिए (0001) या (0001̅) शामिल हैं।

सतह की फिनिश: SiC वेफ़र्स या सबस्ट्रेट्स की सतह की फिनिश का मूल्यांकन करें। सतह चिकनी, पॉलिश की हुई और खरोंच या संदूषकों से मुक्त होनी चाहिए।

आपूर्तिकर्ता प्रतिष्ठा: उच्च गुणवत्ता वाले SiC वेफ़र और सबस्ट्रेट्स के उत्पादन में व्यापक अनुभव वाले प्रतिष्ठित आपूर्तिकर्ता को चुनें। विनिर्माण क्षमता, गुणवत्ता नियंत्रण और ग्राहक समीक्षा जैसे कारकों पर विचार करें।

लागत: प्रति वेफर या सब्सट्रेट की कीमत और किसी भी अतिरिक्त अनुकूलन व्यय सहित लागत निहितार्थों पर विचार करें।

इन कारकों का सावधानीपूर्वक मूल्यांकन करना और उद्योग विशेषज्ञों या आपूर्तिकर्ताओं से परामर्श करना महत्वपूर्ण है ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि चुने गए SiC वेफर्स और सबस्ट्रेट्स आपकी विशिष्ट अनुप्रयोग आवश्यकताओं को पूरा करते हैं।