4H-N/6H-N SiC वेफर अनुसंधान उत्पादन डमी ग्रेड Dia150mm सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट

श्रेणी

शून्य एमपीडी

उत्पादन

अनुसंधान ग्रेड

डमी ग्रेड

व्यास

150.0मिमी±0.25मिमी

मोटाई

4H-एन

350um±25um

4H-SI

500um±25um

वेफर ओरिएंटेशन

अक्ष पर:<0001>±0.5° 4H-SI के लिए
ऑफ एक्सिस: 4.0° की ओर<1120>±0.5° 4H-N के लिए

प्राथमिक फ्लैट

{10-10}±5.0°

प्राथमिक समतल लंबाई

47.5मिमी±2.5मिमी

किनारे का बहिष्कार

3 मिमी

टीटीवी/धनुष/ताना

≤15um/≤40um/≤60um

माइक्रोपाइप घनत्व

≤1 सेमी-2

≤5 सेमी-2

≤15 सेमी-2

≤50 सेमी-2

प्रतिरोधकता 4H-N 4H-SI

0.015~0.028Ω! सेमी

≥1E5Ω!सेमी

बेअदबी

पोलिश Ra ≤1nm CMP Ra≤0.5nm

#उच्च तीव्रता वाले प्रकाश से दरारें

कोई नहीं

1 अनुमति ,≤2मिमी

संचयी लंबाई ≤10 मिमी, एकल लंबाई ≤2 मिमी

*उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा हेक्स प्लेटें

संचयी क्षेत्र ≤1%

संचयी क्षेत्रफल ≤ 2%

संचयी क्षेत्रफल ≤ 5%

*उच्च तीव्रता वाले प्रकाश द्वारा पॉलीटाइप क्षेत्र

कोई नहीं

संचयी क्षेत्रफल ≤ 2%

संचयी क्षेत्रफल ≤ 5%

*&उच्च तीव्रता वाले प्रकाश से खरोंचें

1 x वेफर व्यास संचयी लंबाई तक 3 खरोंचें

1 x वेफर व्यास संचयी लंबाई तक 5 खरोंचें

5 खरोंच से 1 x वेफर व्यास संचयी लंबाई

एज चिप

कोई नहीं

3 की अनुमति है,≤0.5 मिमी प्रत्येक

5 की अनुमति है,≤1मिमी प्रत्येक

उच्च तीव्रता वाले प्रकाश द्वारा संदूषण

कोई नहीं